お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2013-11-29 16:15
電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性
熊崎祐介渡部晃生谷田部然治佐藤威友北大ED2013-88 CPM2013-147 LQE2013-123 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-88 CPM2013-147 LQE2013-123
抄録 (和) 太陽電池や人工光合成等の光電極応用を目的として,電気化学的手法による多孔質構造の形成と,その光学特性の評価を行った.多孔質構造の形成には光支援電気化学エッチングを適用し,電気化学条件により孔の形状および寸法が大きく変化することを見出した.作製した試料の光学特性評価を行ったところ,特性が多孔質構造の表面形状や孔の深さに大きく依存することを明らかにし,多孔質構造の形状制御が重要課題であることを示した.さらに,多孔質構造の形成により光電変換効率の大幅な向上を確認し,光電極応用に有望な結果を得た. 
(英) Optical properties of GaN porous structures formed by the electrochemical process were investigated. We conducted the photo-assisted electrochemical etching for the formation of porous structures, and revealed that pore size and morphology were strongly influenced by the electrochemical conditions. According to the optical spectroscopic method, photoreflectance was so sensitive to the surface morphology and pore depth. By optimizing these structural properties, the photoelectric conversion efficiency was drastically improved at electrolyte/GaN interface, which indicates GaN porous structures are promising materials for use in photoelectrode.
キーワード (和) 多孔質構造 / GaN / 電気化学 / 光電変換 / 光電極 / / /  
(英) Porous structure / GaN / Electrochemical Process / Photoelectric Conversion / Photoelectrode / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 329, ED2013-88, pp. 113-116, 2013年11月.
資料番号 ED2013-88 
発行日 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2013-88 CPM2013-147 LQE2013-123 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-88 CPM2013-147 LQE2013-123

研究会情報
研究会 CPM LQE ED  
開催期間 2013-11-28 - 2013-11-29 
開催地(和) 大阪大学 吹田キャンパス 
開催地(英)  
テーマ(和) 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 
テーマ(英) Nitride and Compound Semiconductor Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2013-11-CPM-LQE-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Photoelectrode properties of GaN porous structures formed by photo-assisted electrochemical process 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 多孔質構造 / Porous structure  
キーワード(2)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(3)(和/英) 電気化学 / Electrochemical Process  
キーワード(4)(和/英) 光電変換 / Photoelectric Conversion  
キーワード(5)(和/英) 光電極 / Photoelectrode  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 熊崎 祐介 / Yusuke Kumazaki / クマザキ ユウスケ
第1著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡部 晃生 / Akio Watanabe / ワタナベ アキオ
第2著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 谷田部 然治 / Zenji Yatabe / ヤタベ ゼンジ
第3著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 威友 / Taketomo Sato / サトウ タケトモ
第4著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2013-11-29 16:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2013-88, CPM2013-147, LQE2013-123 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) 
ページ範囲 pp.113-116 
ページ数
発行日 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会