講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-11-28 10:35
InGaN半導体レーザのワット級高出力化とその応用展開 ○萩野裕幸・左文字克哉・吉田真治・瀧川信一・森本 廉・瀧澤俊幸・春日井秀紀・山中一彦・片山琢磨(パナソニック) ED2013-64 CPM2013-123 LQE2013-99 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-64 CPM2013-123 LQE2013-99 |
抄録 |
(和) |
プロジェクタや車載照明などの固体光源への応用を想定し,ワット級の高い光出力が得られる青紫色半導体レーザアレイを開発した.発光領域を1mm以下に小さくしたレーザアレイの熱設計手法を独自に構築し,水冷を必要としない汎用タイプのパッケージを用いた場合でも,ケース温度25℃で光出力6.3Wの連続発振に成功した.さらに,高輝度白色光源への応用展開として光出力60Wの半導体レーザモジュールを作製し,新規に開発した高光密度励起用の蛍光体と組み合わせることで,光束約10,000ルーメンの白色光源を実現した. |
(英) |
We have developed the watt-class blue-violet laser diode array for the applications to data projector and automotive lighting.
By original thermal design of the 1mm width laser diode array, we have reached the optical power of 6.3W at room temperature under continuous wave operation. We have developed both an NUV-LD module with an output optical power of 60W and a novel blue phosphor material. The light source flux as high as about 10,000 lm has been achieved. |
キーワード |
(和) |
半導体レーザ / レーザアレイ / 蛍光体 / 白色光源 / / / / |
(英) |
Semiconductor laser / Laser array / Phosphor / White light source / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 331, LQE2013-99, pp. 1-4, 2013年11月. |
資料番号 |
LQE2013-99 |
発行日 |
2013-11-21 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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PDFダウンロード |
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