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講演抄録/キーワード
講演名 2013-11-28 16:40
A novel method for crystallizations of aluminum nitride
PeiTsen WuMitsuru FunatoYoichi KawakamiKyoto Univ.ED2013-75 CPM2013-134 LQE2013-110 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-75 CPM2013-134 LQE2013-110
抄録 (和) In this work, a new method of AlN crystal growth is proposed. AlN powders, whiskers, and films have successfully been synthesized in the temperature range from 1200 to 1500C using just Al powders and nitrogen gas. The formation of AlN crystals was confirmed by x-ray diffraction. Photoluminescence spectroscopy show intense deep-level emissions, indicating a high potential of the synthesized AlN as a light emitting material. In addition, an AlN film with a thickness of only 1.38 μm can be separated from the sapphire substrate after the growth likely due to the decomposition of sapphire. 
(英) In this work, a new method of AlN crystal growth is proposed. AlN powders, whiskers, and films have successfully been synthesized in the temperature range from 1200 to 1500C using just Al powders and nitrogen gas. The formation of AlN crystals was confirmed by x-ray diffraction. Photoluminescence spectroscopy show intense deep-level emissions, indicating a high potential of the synthesized AlN as a light emitting material. In addition, an AlN film with a thickness of only 1.38 μm can be separated from the sapphire substrate after the growth likely due to the decomposition of sapphire.
キーワード (和) Aluminum nitride / AlN powder / AlN whisker / AlN film / Aluminum powder / Nitrogen gas / /  
(英) Aluminum nitride / AlN powder / AlN whisker / AlN film / Aluminum powder / Nitrogen gas / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 331, LQE2013-110, pp. 51-55, 2013年11月.
資料番号 LQE2013-110 
発行日 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード ED2013-75 CPM2013-134 LQE2013-110 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-75 CPM2013-134 LQE2013-110

研究会情報
研究会 CPM LQE ED  
開催期間 2013-11-28 - 2013-11-29 
開催地(和) 大阪大学 吹田キャンパス 
開催地(英)  
テーマ(和) 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 
テーマ(英) Nitride and Compound Semiconductor Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2013-11-CPM-LQE-ED 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A novel method for crystallizations of aluminum nitride 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Aluminum nitride / Aluminum nitride  
キーワード(2)(和/英) AlN powder / AlN powder  
キーワード(3)(和/英) AlN whisker / AlN whisker  
キーワード(4)(和/英) AlN film / AlN film  
キーワード(5)(和/英) Aluminum powder / Aluminum powder  
キーワード(6)(和/英) Nitrogen gas / Nitrogen gas  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) ゴ ペイツエン / PeiTsen Wu / ゴ ペイツエン
第1著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 船戸 充 / Mitsuru Funato / フナト ミツル
第2著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 川上 養一 / Yoichi Kawakami / カワカミ ヨウイチ
第3著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
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講演者
発表日時 2013-11-28 16:40:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-ED2013-75,IEICE-CPM2013-134,IEICE-LQE2013-110 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) 
ページ範囲 pp.51-55 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ED-2013-11-21,IEICE-CPM-2013-11-21,IEICE-LQE-2013-11-21 


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