お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2013-11-28 16:15
MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究
若杉侑矢本田善央天野 浩名大ED2013-74 CPM2013-133 LQE2013-109 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-74 CPM2013-133 LQE2013-109
抄録 (和) MOVPE法を用いてGaN及びAlGaNへのMgとCの同時ドーピングを行い、電気的、光学的特性を評価した。GaNへの同時ドーピングでは比較的低濃度のCドーピングにより正孔密度の増加が確認できたが、AlGaNにおいてはC2H2流量増加に伴い正孔密度は減少した。cathodeluminescence(CL)測定により、全ての試料で440 nm付近の発光を確認した。GaNへのMgとCのドーピングを行った試料に対して同様の測定を行った。MgとCの同時ドーピングは通常のMgドーピングよりも高い正孔密度を示した。 
(英) We grew Mg/C co-doped GaN and AlGaN by MOVPE for identifying the C level in GaN and AlGaN. We measured electrical and optical properties by Hall effect measurement and cathodeluminescence (CL) measurement. Hole concentration in GaN increased with increase of C concentration at low C doping level, although that in AlGaN decreased with increase of C2H2 flow rate. All the samples show similar CL with peak wavelength of about 440nm. We also grew Mg/C delta co-doped GaN. Delta doping is found to be effective for realizing higher hole concentration than the conventional one.
キーワード (和) GaN / AlGaN / C / Mg / ドーピング / MOVPE / /  
(英) GaN / AlGaN / C / Mg / doping / MOVPE / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 331, LQE2013-109, pp. 47-50, 2013年11月.
資料番号 LQE2013-109 
発行日 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2013-74 CPM2013-133 LQE2013-109 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-74 CPM2013-133 LQE2013-109

研究会情報
研究会 CPM LQE ED  
開催期間 2013-11-28 - 2013-11-29 
開催地(和) 大阪大学 吹田キャンパス 
開催地(英)  
テーマ(和) 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 
テーマ(英) Nitride and Compound Semiconductor Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2013-11-CPM-LQE-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Study on C doping in GaN and AlGaN by MOVPE 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(2)(和/英) AlGaN / AlGaN  
キーワード(3)(和/英) C / C  
キーワード(4)(和/英) Mg / Mg  
キーワード(5)(和/英) ドーピング / doping  
キーワード(6)(和/英) MOVPE / MOVPE  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 若杉 侑矢 / Yuya Wakasugi / ワカスギ ユウヤ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 本田 善央 / Yoshio Honda / ホンダ ヨシオ
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 天野 浩 / Hiroshi Amano / アマノ ヒロシ
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第4著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2013-11-28 16:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 ED2013-74, CPM2013-133, LQE2013-109 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) 
ページ範囲 pp.47-50 
ページ数
発行日 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会