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講演抄録/キーワード
講演名 2013-11-28 13:30
表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性
西田将太梁 剣波森本雅史重川直輝阪市大)・新井 学新日本無線エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-68 CPM2013-127 LQE2013-103
抄録 (和) 表面活性化ボンディング法(SAB法)により形成されたp+-Si/n-4H-SiCヘテロ接合(アニール処理なし、アニール処理あり)の物理特性および電気特性を走査型電子顕微鏡(SEM)、電流-電圧(I-V)、容量-電圧(C-V)、およびブレークダウン特性により評価した。p+-Si/n-4H-SiC接合の電流-電圧(I-V)特性は、室温において整流特性を示した。容量-電圧(C-V)特性より抽出したp+-Si/n-4H-SiC接合のフラットバンド電圧は1.0V程度であり、p+-Si/n-4H-SiC接合の伝導帯オフセットはほぼゼロ(~0.02 eV)であるという結果を得た。また、ブレークダウン特性より得られたブレークダウン電圧からp+-Si/n-4H-SiC接合のブレークダウン電界強度(アニール処理なし:~0.88 MV/cm, アニール処理あり:~2.11 MV/cm)を推定した。この結果はSiの絶縁破壊電界強度(~0.3 MV/cm)およびSi/Si Abrupt 接合におけるブレークダウン電界強度(~0.65 MV/cm)と比較して優れた値を示した。 
(英) The physical and electrical properties of p+-Si/n-4H-SiC heterojunctions with and without being annealed fabricated by using surface-activated bonding (SAB) were investigated by scanning electron microscopy (SEM), current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V), and breakdown characteristics measurements. The I-V characteristics of p+-Si/n-4H-SiC junctions showed rectifying properties at room temperature. The flat-band voltage was around 1.0V and the conduction band offset of p+-Si/n-4H-SiC junctions was determined to be ~0.02 eV from the C-V characteristics. The obtained breakdown voltages from the breakdown characteristics corresponded to the electric field of ~0.88 MV/cm (not annealing) and ~2.11 MV/cm (annealing) and these values were higher than critical electric fields at breakdown in bulk Si (~0.3 MV/cm) and in Si-based one-sided abrupt junction (~0.65 MV/cm).
キーワード (和) 表面活性化ボンディング / Si / SiC / 電流電圧特性 / ヘテロ接合 / / /  
(英) surface-activated bonding / Si / SiC / current-voltage characteristics / heterojunction / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 329, ED2013-68, pp. 21-25, 2013年11月.
資料番号 ED2013-68 
発行日 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 CPM LQE ED  
開催期間 2013-11-28 - 2013-11-29 
開催地(和) 大阪大学 吹田キャンパス 
開催地(英)  
テーマ(和) 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 
テーマ(英) Nitride and Compound Semiconductor Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2013-11-CPM-LQE-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Electrical properties of Si/SiC heterojunctions fabricated using surface-activated bonding 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 表面活性化ボンディング / surface-activated bonding  
キーワード(2)(和/英) Si / Si  
キーワード(3)(和/英) SiC / SiC  
キーワード(4)(和/英) 電流電圧特性 / current-voltage characteristics  
キーワード(5)(和/英) ヘテロ接合 / heterojunction  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 西田 将太 / Shota Nishida / ニシダ ショウタ
第1著者 所属(和/英) 大阪市立大学 (略称: 阪市大)
Osaka City University (略称: Osaka City Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 梁 剣波 / Jianbo Liang / リョウ ケンポ
第2著者 所属(和/英) 大阪市立大学 (略称: 阪市大)
Osaka City University (略称: Osaka City Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 森本 雅史 / Masashi Morimoto / モリモト マサシ
第3著者 所属(和/英) 大阪市立大学 (略称: 阪市大)
Osaka City University (略称: Osaka City Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 重川 直輝 / Naoteru Shigekawa / シゲカワ ナオテル
第4著者 所属(和/英) 大阪市立大学 (略称: 阪市大)
Osaka City University (略称: Osaka City Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 新井 学 / Manabu Arai /
第5著者 所属(和/英) 新日本無線株式会社 (略称: 新日本無線)
New Japan Radio Co. (略称: New Japan Radio)
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講演者
発表日時 2013-11-28 13:30:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2013-68,IEICE-CPM2013-127,IEICE-LQE2013-103 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) 
ページ範囲 pp.21-25 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ED-2013-11-21,IEICE-CPM-2013-11-21,IEICE-LQE-2013-11-21 


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