講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-11-20 15:50
オンチップアンテナのイオン照射を想定した基板の高抵抗化よる放射効率改善の電磁界シミュレーション ○矢尾裕樹・平野拓一・岡田健一・広川二郎・安藤 真(東工大) AP2013-104 |
抄録 |
(和) |
CMOSオンチップアンテナの放射効率改善のために, チップの一部にイオン照射を想定した低損失シリコン(Si)基板を用いた場合の放射特性の電磁界シミュレーションを行った. 60 GHzにおいてオンチップダイポールアンテナの直下の1200 $mu$m $times$ 600 $mu$mのSi基板の領域を低導電率化(高抵抗化)することで, 放射効率を2.23%から62.2%まで改善可能であることをシミュレーションで確認した. また, 2つのオンチップダイポールアンテナによる伝送評価モデルのシミュレーションを行った. プローブステーションの金属台上でも,ガラス基板を厚くし, アンテナを金属面から遠ざけることで受信電力が大きくなり, 伝送特性の測定が可能であることが確認できた. |
(英) |
We have analyzed on-chip antennas integrated in CMOS using a partially low loss Si substrate by the electromagnetic field simulator. A partially low loss Si substrate is achieved for radiation efficiency improvement by ion irradiation. Radiation efficiency of the on-chip dipole antenna without the partially ion-irradiation area is as low as 2.24%, and the radiation efficiency is improved to 62.2% with ion irradiation with the area of 1200 $mu$m $times$ 600 $mu$m size under the dipole antenna. We have also evaluated model of the transmission by the two on-chip dipole antennas. |
キーワード |
(和) |
オンチップアンテナ / CMOS / イオン照射 / 高抵抗化Si基板 / / / / |
(英) |
On-chip antenna / CMOS / Ion irradiation / High impedance Si substrate / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 300, AP2013-104, pp. 25-30, 2013年11月. |
資料番号 |
AP2013-104 |
発行日 |
2013-11-13 (AP) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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AP2013-104 |
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