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講演抄録/キーワード
講演名 2013-11-20 15:50
オンチップアンテナのイオン照射を想定した基板の高抵抗化よる放射効率改善の電磁界シミュレーション
矢尾裕樹平野拓一岡田健一広川二郎安藤 真東工大AP2013-104
抄録 (和) CMOSオンチップアンテナの放射効率改善のために, チップの一部にイオン照射を想定した低損失シリコン(Si)基板を用いた場合の放射特性の電磁界シミュレーションを行った. 60 GHzにおいてオンチップダイポールアンテナの直下の1200 $mu$m $times$ 600 $mu$mのSi基板の領域を低導電率化(高抵抗化)することで, 放射効率を2.23%から62.2%まで改善可能であることをシミュレーションで確認した. また, 2つのオンチップダイポールアンテナによる伝送評価モデルのシミュレーションを行った. プローブステーションの金属台上でも,ガラス基板を厚くし, アンテナを金属面から遠ざけることで受信電力が大きくなり, 伝送特性の測定が可能であることが確認できた. 
(英) We have analyzed on-chip antennas integrated in CMOS using a partially low loss Si substrate by the electromagnetic field simulator. A partially low loss Si substrate is achieved for radiation efficiency improvement by ion irradiation. Radiation efficiency of the on-chip dipole antenna without the partially ion-irradiation area is as low as 2.24%, and the radiation efficiency is improved to 62.2% with ion irradiation with the area of 1200 $mu$m $times$ 600 $mu$m size under the dipole antenna. We have also evaluated model of the transmission by the two on-chip dipole antennas.
キーワード (和) オンチップアンテナ / CMOS / イオン照射 / 高抵抗化Si基板 / / / /  
(英) On-chip antenna / CMOS / Ion irradiation / High impedance Si substrate / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 300, AP2013-104, pp. 25-30, 2013年11月.
資料番号 AP2013-104 
発行日 2013-11-13 (AP) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード AP2013-104

研究会情報
研究会 RCS AP  
開催期間 2013-11-20 - 2013-11-22 
開催地(和) 松江テルサ 
開催地(英) Matsue Terrsa 
テーマ(和) アダプティブアンテナ,等化,干渉キャンセラ,MIMO,無線通信,一般 
テーマ(英) Adaptive Antenna, Equalization, Interference Canceller, MIMO, Wireless Communication Systems, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 AP 
会議コード 2013-11-RCS-AP 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) オンチップアンテナのイオン照射を想定した基板の高抵抗化よる放射効率改善の電磁界シミュレーション 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Electromagnetic Simulation of Radiation Efficiency Improvement for an On-chip Antenna by a High Resistivity Substrate Supposing Ion Irradiation 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) オンチップアンテナ / On-chip antenna  
キーワード(2)(和/英) CMOS / CMOS  
キーワード(3)(和/英) イオン照射 / Ion irradiation  
キーワード(4)(和/英) 高抵抗化Si基板 / High impedance Si substrate  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 矢尾 裕樹 / Yuki Yao / ヤオ ユウキ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Titech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 平野 拓一 / Takuichi Hirano / ヒラノ タクイチ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Titech)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡田 健一 / Kenichi Okada / オカダ ケンイチ
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Titech)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 広川 二郎 / Jiro Hirokawa / ヒロカワ ジロウ
第4著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Titech)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 安藤 真 / Makoto Ando / アンドウ マコト
第5著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Titech)
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講演者
発表日時 2013-11-20 15:50:00 
発表時間 25 
申込先研究会 AP 
資料番号 IEICE-AP2013-104 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.300 
ページ範囲 pp.25-30 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-AP-2013-11-13 


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