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講演抄録/キーワード
講演名 2013-11-15 10:00
シリコンナノワイヤトランジスタの解析的ドレイン電流モデルとデバイス設計
田中千加萩島大輔東芝)・内田 建慶大)・沼田敏典東芝SDM2013-106 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-106
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文献情報 信学技報, vol. 113, no. 296, SDM2013-106, pp. 37-42, 2013年11月.
資料番号 SDM2013-106 
発行日 2013-11-07 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2013-11-14 - 2013-11-15 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit Simulations, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2013-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) シリコンナノワイヤトランジスタの解析的ドレイン電流モデルとデバイス設計 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Analytical drain current and threshold voltage model and device design of short-channel Si nanowire transistors 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 千加 / Chika Tanaka / タナカ チカ
第1著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 萩島 大輔 / Daisuke Hagishima / ハギシマ ダイスケ
第2著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 内田 建 / Ken Uchida / ウチダ ケン
第3著者 所属(和/英) 慶応義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 沼田 敏典 / Toshinori Numata / ヌマタ トシノリ
第4著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-11-15 10:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2013-106 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.296 
ページ範囲 pp.37-42 
ページ数
発行日 2013-11-07 (SDM) 


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