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| 講演名 | 2013-11-14 15:50 ［招待講演］量子エネルギー輸送モデルを用いた先端MOSFETシミュレーション ○鍾 菁廣・小田中紳二（阪大）  SDM2013-105 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2013-105 |
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| 抄録 | （和） | 量子流体(QHD)モデルは電子輸送のマクロモデルとして重要であり, 拡散スケーリングによって量子エネルギー輸送(QET)モデルや量子ドリフト拡散(QDD)モデルが導出される. 本報告では, 我々が新たに導出した4モーメントQETモデルについて述べる. このモデルについて高精度非線形保存スキームを構成し, 新たな変数の組に対して正値性を保った減速型反復法を開発することによって, 量子閉じ込め効果とホットキャリア効果を含めた2次元シミュレーションを実現した. このモデルによって, 先端MOSFET, すなわち高移動度材料を基板にもつマルチゲートMOSFETの特性評価を行った. QETモデルによるSi, Ge, In$_0.53$Ga$_0.47$As n-MOSFETの2次元電子輸送シミュレーション結果について述べる. |
| （英） | A quantum energy transport(QET) model is derived by using a diffusion scaling in the quantum hydrodynamic (QHD) model. In this work, we derive a 4-moments QET model. Space discretization is performed by high accuracy nonlinear schemes and numerical stability is obtained by an iterative solution method with a relaxation method. Transport properties in Si, Ge and In$_0.53$Ga$_0.47$As n-MOSFETs are evaluated. A 4-moments QET model allows analysis of carrier transport including quantum confinement and hot carrier effects. The charge control by the gate is effectively reduced in the Ge and In$_0.53$Ga$_0.47$As n-MOSFET due to low effective mass and high permittivity of materials. | |
| キーワード | （和） | 量子エネルギー輸送モデル / デバイスシミュレーション / MOSFET / Ge / InGaAs / / / |
| （英） | Quantum energy transport(QET) model / Device simulation / MOSFET / Ge / InGaAs / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 296, SDM2013-105, pp. 31-36, 2013年11月. | |
| 資料番号 | SDM2013-105 | |
| 発行日 | 2013-11-07 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-105 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2013-105 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2013-11-14 - 2013-11-15 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulations, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 量子エネルギー輸送モデルを用いた先端MOSFETシミュレーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Advanced MOSFET simulations using a quantum energy trasport model |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子エネルギー輸送モデル / Quantum energy transport(QET) model |
| キーワード(2)（和/英） | デバイスシミュレーション / Device simulation |
| キーワード(3)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(4)（和/英） | Ge / Ge |
| キーワード(5)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鍾 菁廣 / Shohiro Sho / ショウ ショウヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小田中 紳二 / Shinji Odanaka / オダナカ シンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-11-14 15:50:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-105 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.296 |
| ページ範囲 | pp.31-36 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-11-07 (SDM) |
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