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講演抄録/キーワード
講演名 2013-10-24 15:25
マルチレベルセルNANDフラッシュメモリのための多元単方向誤り訂正符号
小滝翔平北神正人千葉大DC2013-25
抄録 (和) 誤り訂正符号はNANDフラッシュメモリの信頼性向上に不可欠である.NANDフラッシュメモリの誤りの主な要因として,セル間の干渉と,データ保持時の誤りが挙げられる.前者はワード線単位で,閾値電圧分布を電圧が増大する方向に変化させ,後者は全てのメモリセルの閾値電圧分布を,電圧が減少する方向に変化させる.したがって,ワード線に含まれるページ内の誤りは,電圧の増加,減少のいずれか一方に限られる場合が多いと考えられる.マルチレベルセル(MLC)におけるこのような誤りは,単方向誤りと類似しており,多元の単方向誤りと見なせる.本稿では,この多元の単方向誤りを考慮した誤り訂正符号を提案する.評価の結果,提案手法は従来手法であるBCH符号と比較し,少ない検査ビットで実現できることが示された. 
(英) Error correcting codes (ECCs) are essential techniques to ensure reliability of NAND Flash Memories. As typical error sources of NAND Flash memories, cell-to-cell interference and data retention are considered. The cell-to-cell interference, which occurs on a word unit, shifts threshold voltage distribution to the negative side. Also, the data retention, every cell suffers its effects, shifts the distribution to the positive side. Consequently, errors to only upper levels or to only lower levels are considered to be dominant in a page. Such errors are similar to unidirectional errors, thus they can be regarded as q-ary unidirectional errors. In this work, a new class of error correcting codes on which the q-ary unidirectional errors are considered is proposed. Evaluation results show that the proposed codes have less check bits than conventional BCH codes.
キーワード (和) NANDフラッシュメモリ / マルチレベルセル / 誤り訂正符号 / 単方向誤り / 多元単方向誤り / / /  
(英) NAND Flash memories / multi-level cell / error correcting codes / unidirectional errors / q-ary unidirectional errors / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 270, DC2013-25, pp. 25-30, 2013年10月.
資料番号 DC2013-25 
発行日 2013-10-17 (DC) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード DC2013-25

研究会情報
研究会 DC  
開催期間 2013-10-24 - 2013-10-24 
開催地(和) 機械振興会館 地下3階1号室 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) ネットワーク環境でのディペンダビリティ 
テーマ(英) Dependability in network environments 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 DC 
会議コード 2013-10-DC 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) マルチレベルセルNANDフラッシュメモリのための多元単方向誤り訂正符号 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Class of q-Ary Unidirectional Error Correcting Codes for MLC NAND Flash Memories 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) NANDフラッシュメモリ / NAND Flash memories  
キーワード(2)(和/英) マルチレベルセル / multi-level cell  
キーワード(3)(和/英) 誤り訂正符号 / error correcting codes  
キーワード(4)(和/英) 単方向誤り / unidirectional errors  
キーワード(5)(和/英) 多元単方向誤り / q-ary unidirectional errors  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 小滝 翔平 / Shohei Kotaki / コタキ ショウヘイ
第1著者 所属(和/英) 千葉大学 (略称: 千葉大)
Chiba University (略称: Chiba Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 北神 正人 / Masato Kitakami / キタカミ マサト
第2著者 所属(和/英) 千葉大学 (略称: 千葉大)
Chiba University (略称: Chiba Univ.)
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講演者
発表日時 2013-10-24 15:25:00 
発表時間 25 
申込先研究会 DC 
資料番号 IEICE-DC2013-25 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.270 
ページ範囲 pp.25-30 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-DC-2013-10-17 


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