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講演抄録/キーワード
講演名 2013-10-23 09:00
シリコン冷陰極からの光支援による電子放射
嶋脇秀隆八戸工大)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・若家冨士男高井幹夫阪大)・吉田知也長尾昌善産総研ED2013-57 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-57
抄録 (和) 微小電子源から高周波変調されたバンチビームを発生させることを目的として、p-Si基板を用いたナノ結晶シリコン(nc-Si)を用いたMOS冷陰極と極微ゲート孔構造Si-FEAの光応答性を波長633nmと405nmの光パルスを用いて評価した。Nc-Si MOS冷陰極からのエミッションは、ナノ秒オーダーの光応答性を有することが確認された。FEAにおいて、ゲート孔サイズを波長オーダーまで縮小することにより拡散電子の生成が抑制され、応答性が向上することを確認した。 
(英) The photoresponse of electron emission from nanocrystalline silicon based Metal-oxide-semiconductor (MOS) cathodes and gated Si field emitter arrays have been investigated under irradiation of laser pulses with the wavelengths of 633 nm and 405 nm. A modulated electron beam is generated directly from the each cathode device by laser pulses. The rise time of the photoresponse in the MOS cathode device is at least on nanosecond scale. In addition, this paper shows that the gated field emitter structure designed with gate aperture less than a half micrometer blocks effectively excitation of diffusion electrons outside the depletion region which causes slow response.
キーワード (和) レーザ支援電子放射 / 変調電子ビーム / MOSカソード / 電界電子放射陰極 / / / /  
(英) photoassisted electron emission / modulated electron beam / MOS cathode / field emitter array / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 257, ED2013-57, pp. 29-32, 2013年10月.
資料番号 ED2013-57 
発行日 2013-10-15 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2013-57 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-57

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2013-10-22 - 2013-10-23 
開催地(和) 北海道大学エンレイソウ 
開催地(英) Enreisou, Hokkaido Univ. 
テーマ(和) 電子管と真空ナノエレクトロニクス 
テーマ(英) Vacuum tube and vacuum nanoelectronics 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2013-10-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) シリコン冷陰極からの光支援による電子放射 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Photoassisted Electron Emission from Silicon Cathodes 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) レーザ支援電子放射 / photoassisted electron emission  
キーワード(2)(和/英) 変調電子ビーム / modulated electron beam  
キーワード(3)(和/英) MOSカソード / MOS cathode  
キーワード(4)(和/英) 電界電子放射陰極 / field emitter array  
キーワード(5)(和/英) /  
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キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 嶋脇 秀隆 / Hidetaka Shimawaki / シマワキ ヒデタカ
第1著者 所属(和/英) 八戸工業大学 (略称: 八戸工大)
Hachinohe Institute of Technology (略称: Hachinohe Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 根尾 陽一郎 / Yoichiro Neo / ネオ ヨウイチロウ
第2著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 三村 秀典 / Hidenori Mimura / ミムラ ヒデノリ
第3著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 若家 冨士男 / Fujio Wakaya / ワカヤ フジオ
第4著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 高井 幹夫 / Mikio Takai / ヨシダ トモヤ
第5著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉田 知也 / Tomoya Yoshida / ナガオ マサヨシ
第6著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 長尾 昌善 / Masayoshi Nagao /
第7著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
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講演者
発表日時 2013-10-23 09:00:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2013-57 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.257 
ページ範囲 pp.29-32 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2013-10-15 


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