講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-10-23 09:00
シリコン冷陰極からの光支援による電子放射 ○嶋脇秀隆(八戸工大)・根尾陽一郎・三村秀典(静岡大)・若家冨士男・高井幹夫(阪大)・吉田知也・長尾昌善(産総研) ED2013-57 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-57 |
抄録 |
(和) |
微小電子源から高周波変調されたバンチビームを発生させることを目的として、p-Si基板を用いたナノ結晶シリコン(nc-Si)を用いたMOS冷陰極と極微ゲート孔構造Si-FEAの光応答性を波長633nmと405nmの光パルスを用いて評価した。Nc-Si MOS冷陰極からのエミッションは、ナノ秒オーダーの光応答性を有することが確認された。FEAにおいて、ゲート孔サイズを波長オーダーまで縮小することにより拡散電子の生成が抑制され、応答性が向上することを確認した。 |
(英) |
The photoresponse of electron emission from nanocrystalline silicon based Metal-oxide-semiconductor (MOS) cathodes and gated Si field emitter arrays have been investigated under irradiation of laser pulses with the wavelengths of 633 nm and 405 nm. A modulated electron beam is generated directly from the each cathode device by laser pulses. The rise time of the photoresponse in the MOS cathode device is at least on nanosecond scale. In addition, this paper shows that the gated field emitter structure designed with gate aperture less than a half micrometer blocks effectively excitation of diffusion electrons outside the depletion region which causes slow response. |
キーワード |
(和) |
レーザ支援電子放射 / 変調電子ビーム / MOSカソード / 電界電子放射陰極 / / / / |
(英) |
photoassisted electron emission / modulated electron beam / MOS cathode / field emitter array / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 257, ED2013-57, pp. 29-32, 2013年10月. |
資料番号 |
ED2013-57 |
発行日 |
2013-10-15 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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