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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-10-18 10:30 バイアス印加硬X線光電子分光法を用いた絶縁膜/Si界面の評価 ○池野成裕・永田晃基（明大）・陰地 宏・廣沢一郎（高輝度光科学研究センター）・小椋厚志（明大）  SDM2013-94 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2013-94 |
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| 抄録 | （和） | SiO2/Si 構造における界面準位の議論は、トランジスタの設計において最も重要なパラメータの一つである。界面準位の評価には、多くの場合、容量-電圧法(C-V)が用いられてきた。しかし、昨今の微細化により、その安定性が懸念されている。そこで我々は、バイアス印加光電子分光法(BA-HAXPES)を用いてSiO2/Si における界面準位の評価を行った。その結果、Si表面の界面準位が光電子脱出の際に、強いトラップサイトとして作用することが明らかになった。また、界面準位の導出から高周波C-V法と良い一致を示した。 |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | バイアス印加光電子分光 / ゲート絶縁膜 / 界面準位密度 / シンクロトロン放射光 / / / / |
| （英） | Bias operation-hard X-ray photoelectron spectroscopy / Gate insulator / Interface trap density / Synchrotron radiation / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 247, SDM2013-94, pp. 33-36, 2013年10月. | |
| 資料番号 | SDM2013-94 | |
| 発行日 | 2013-10-10 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-94 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2013-94 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2013-10-17 - 2013-10-18 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | バイアス印加硬X線光電子分光法を用いた絶縁膜/Si界面の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Introduction of the Bias Operation Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy: Evaluation for Insulator/Si interface |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | バイアス印加光電子分光 / Bias operation-hard X-ray photoelectron spectroscopy |
| キーワード(2)（和/英） | ゲート絶縁膜 / Gate insulator |
| キーワード(3)（和/英） | 界面準位密度 / Interface trap density |
| キーワード(4)（和/英） | シンクロトロン放射光 / Synchrotron radiation |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池野 成裕 / Norihiro Ikeno / イケノ ノリヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永田 晃基 / Kohki Nagata / ナガタ コウキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 陰地 宏 / Hiroshi Oji / オオジ ヒロシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 高輝度光科学研究センター (略称： 高輝度光科学研究センター) Japan Synchrotron Radiation Research Institute (略称： JASRI) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣沢 一郎 / Ichiro Hirosawa / ヒロサワ イチロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 高輝度光科学研究センター (略称： 高輝度光科学研究センター) Japan Synchrotron Radiation Research Institute (略称： JASRI) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小椋 厚志 / Atsushi Ogura / オグラ アツシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-10-18 10:30:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-94 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.247 |
| ページ範囲 | pp.33-36 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-10-10 (SDM) |
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