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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-10-18 14:00 MOSFETのサブスレショルド領域におけるRandom Telegraph Noiseの時定数解析 ○米澤彰浩・寺本章伸・小原俊樹・黒田理人・須川成利・大見忠弘（東北大）  SDM2013-98 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2013-98 |
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| 抄録 | （和） | MOSFETのサブスレッショルド領域におけるRandom Telegraph Noise(RTN)の捕獲・放出時定数を多数のサンプルに対しゲート電圧依存性を抽出し、キャリアの捕獲・放出過程を考察した。捕獲過程のゲート電圧依存性は、キャリアとトラップの距離はSiO2/Si界面とトラップの最短距離ではなく、キャリアの存在するパーコレーションパスとトラップの距離とトラップのエネルギ準位から決定される。放出過程はゲート電圧により、キャリアがSi基板側に抜けるもの、ゲート電極側に抜けるもの、電圧により放出先を変えると考えられるものが観測された。時定数を広範囲かつ正確に抽出し捕獲・放出時定数を個別に議論することがRTNの解析では重要となる。 |
| （英） | We extracted time constants of capture and emission of Random Telegraph Noise (RTN), and their dependencies of the gate-source voltage from numerous MOSFETs and discuss the trapping and detrapping processes of carriers at the subthreshold voltage region. The dependence of time to capture on the gate-source voltage can not be determined by the trap depth from the interface and but by the distance between the trap and percolation path and the trap energy level. It is considered that various emission processes caused by tunneling to Si substrate side, tunneling to gate electrode side and tunneling to either Si substrate side or gate electrode side depending on gate-source voltage. Evaluating the time constants individually is indispensable to characterize the trap which causes RTN in subthreshold voltage region. | |
| キーワード | （和） | RTN / MOSFET / 時定数 / / / / / |
| （英） | RTN / MOSFET / Time Constant / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 247, SDM2013-98, pp. 51-56, 2013年10月. | |
| 資料番号 | SDM2013-98 | |
| 発行日 | 2013-10-10 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-98 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2013-98 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2013-10-17 - 2013-10-18 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOSFETのサブスレショルド領域におけるRandom Telegraph Noiseの時定数解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study of Time Constant Analysis in Random Telegraph Noise at the Subthreshold Voltage Region |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | RTN / RTN |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | 時定数 / Time Constant |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 米澤 彰浩 / Akihiro Yonezawa / ヨネザワ アキヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto / テラモト アキノブ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小原 俊樹 / Toshiki Obara / オバラ トシキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒田 理人 / Rihito Kuroda / クロダ リヒト |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa / スガワ シゲトシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi / オオミ タダヒロ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-10-18 14:00:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-98 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.247 |
| ページ範囲 | pp.51-56 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-10-10 (SDM) |
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