研究会情報 |
研究会 |
SDM |
開催期間 |
2013-10-17 - 2013-10-18 |
開催地(和) |
東北大学未来研 |
開催地(英) |
Niche, Tohoku Univ. |
テーマ(和) |
プロセス科学と新プロセス技術 |
テーマ(英) |
Process Science and New Process Technology |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2013-10-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
プラズマチャージングダメージがMOSFETのRandom Telegraph Noise特性に及ぼす影響 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Effects of plasma-induced charging damage on random telegraph noise (RTN) behaviors in advanced MOSFETs |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
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キーワード(2)(和/英) |
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キーワード(3)(和/英) |
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キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
亀井 政幸 / Masayuki Kamei / カメイ マサユキ |
第1著者 所属(和/英) |
京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
中久保 義則 / Yoshinori Nakakubo / ナカクボ ヨシノリ |
第2著者 所属(和/英) |
京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
鷹尾 祥典 / Yoshinori Takao / タカオ ヨシノリ |
第3著者 所属(和/英) |
京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
江利口 浩二 / Koji Eriguchi / エリグチ コウジ |
第4著者 所属(和/英) |
京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
斧 高一 / Kouichi Ono / オノ コウイチ |
第5著者 所属(和/英) |
京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第6著者 所属(和/英) |
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 所属(和/英) |
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講演者 |
第4著者 |
発表日時 |
2013-10-18 13:30:00 |
発表時間 |
30分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2013-97 |
巻番号(vol) |
vol.113 |
号番号(no) |
no.247 |
ページ範囲 |
pp.47-50 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2013-10-10 (SDM) |