講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-10-18 10:00
窒素添加LaB6薄膜のデバイス応用に関する検討 ○前田康貴・大見俊一郎(東工大)・後藤哲也・大見忠弘(東北大) SDM2013-93 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-93 |
抄録 |
(和) |
低仕事関数を有するLaB6は,窒素を添加することで酸化耐性が向上することが報告されている.本研究では窒素添加したLaB6薄膜のデバイス応用を目的として,基礎特性に関する検討を行った.まずウェットエッチングおよびLaB6を電極として用いたMOSダイオードに関する検討を行い,その結果をもとにN2/4.9%H2雰囲気における400℃/5 minの熱処理を検討した.さらに結晶方位の観察を行った.硝酸によるエッチング条件の抽出に成功し,抵抗率290 μΩcmおよび面方位(110)が確認された.またC-V特性の測定から,熱処理によってヒステリシスのないC-V特性が得られ,仕事関数3.3-4.6 eVが得られることを明らかにした. |
(英) |
It was reported that oxidation immunity of LaB6 was improved by nitrogen incorporation. Basic characteristics of nitrogen-doped LaB6 was investigated. First, wet etching process using nitric acid was investigated. Then, a 400 deg./5 min anneal in N2/4.9%H2 ambient effect was also investigated. And a crystalline orientation of LaB6 was observed. The etching condition using nitric acid was obtained. The resistivity of 290 micro-ohm-cm and its crystalline orientation of (110) were also obtained. C-V characteristics of LaB6/SiO2/Si(100) was found to be improved by 400 deg./5 min anneal in N2/4.9%H2 and the obtained work function was 3.3-4.6 eV. |
キーワード |
(和) |
LaB6 / 窒素添加 / 低仕事関数 / エッチング / 熱処理 / / / |
(英) |
LaB6 / nitrogen-doped / low work function / etching / anneal / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 247, SDM2013-93, pp. 27-31, 2013年10月. |
資料番号 |
SDM2013-93 |
発行日 |
2013-10-10 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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