講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-10-17 14:00
[招待講演]SiCパワーデバイスの開発動向 ○四戸 孝(東芝) SDM2013-88 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-88 |
抄録 |
(和) |
SiCパワーデバイスの研究開発は、市場規模の大きなハイブリッド自動車のモータドライブや太陽光発電のパワーコンディショナーなどに使われる耐圧600~1200Vの中耐圧素子を中心として進められてきており、インバータなどへの組み込み試験によって変換器の高効率化・小型化の実証がなされてきた。本稿では、実用化が始まったSiCパワーデバイスの特徴とシステムへの適用効果、将来展望について解説する。 |
(英) |
(Not available yet) |
キーワード |
(和) |
SiC / パワー半導体 / SBD / PiN / JFET / MOSFET / IGBT / |
(英) |
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文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 247, SDM2013-88, pp. 1-4, 2013年10月. |
資料番号 |
SDM2013-88 |
発行日 |
2013-10-10 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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