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講演抄録/キーワード
講演名 2013-10-17 14:00
[招待講演]SiCパワーデバイスの開発動向
四戸 孝東芝SDM2013-88 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-88
抄録 (和) SiCパワーデバイスの研究開発は、市場規模の大きなハイブリッド自動車のモータドライブや太陽光発電のパワーコンディショナーなどに使われる耐圧600~1200Vの中耐圧素子を中心として進められてきており、インバータなどへの組み込み試験によって変換器の高効率化・小型化の実証がなされてきた。本稿では、実用化が始まったSiCパワーデバイスの特徴とシステムへの適用効果、将来展望について解説する。 
(英) (Not available yet)
キーワード (和) SiC / パワー半導体 / SBD / PiN / JFET / MOSFET / IGBT /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 247, SDM2013-88, pp. 1-4, 2013年10月.
資料番号 SDM2013-88 
発行日 2013-10-10 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2013-88 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-88

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2013-10-17 - 2013-10-18 
開催地(和) 東北大学未来研 
開催地(英) Niche, Tohoku Univ. 
テーマ(和) プロセス科学と新プロセス技術 
テーマ(英) Process Science and New Process Technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2013-10-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SiCパワーデバイスの開発動向 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Technological Trend of SiC Power Devices 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SiC /  
キーワード(2)(和/英) パワー半導体 /  
キーワード(3)(和/英) SBD /  
キーワード(4)(和/英) PiN /  
キーワード(5)(和/英) JFET /  
キーワード(6)(和/英) MOSFET /  
キーワード(7)(和/英) IGBT /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 四戸 孝 / Takashi Shinohe / シノヘ タカシ
第1著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
TOSHIBA CORPORATION (略称: TOSHIBA)
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-10-17 14:00:00 
発表時間 50分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2013-88 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.247 
ページ範囲 pp.1-4 
ページ数
発行日 2013-10-10 (SDM) 


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