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講演抄録/キーワード
講演名 2013-09-18 17:25
相変化物質を用いた不揮発性再構成型デバイス開発プラットフォーム
道田拓巳谷川一哉弘中哲夫広島市大)・下舞賢一石黒 隆太陽誘電RECONF2013-25
抄録 (和) 本研究では相変化メモリを用いた不揮発性再構成型デバイスMPLDの開発手法の研究を行っている.
しかし,一般的な相変化メモリの構造では相変化物質の開発と
相変化物質に対するデータの読み書きを行う電子回路の開発を
同時に行う必要があり,開発費が高騰してしまう.
そこで本研究ではチップ製造後成膜を用いることで多様な相変化物質の成膜実験をできるようにした.
また,相変化物質の特性が変化した場合でもLSIの再設計回数を削減できるように,外部バイアス電圧でLSI部分の動作条件を変更できるよう設計した.
本稿では以上の方法で課題を解決した不揮発性MPLDを設計し,
シミュレーションおよび試作チップにおいて動作確認した. 
(英) We have studied a development technique of nonvolatile reconfigurable device MPLD using the phase change memory.
The development cost of the device increases from the necessity of developing both at the same time,
electronic circuits of phase change memory and the phase change material itself
To decrease the development cost,
we enable to form the phase change material layer after manufacturing the LSI.
In addition, to prevent redesigning of the LSI circuit according to the difference of phase change material,
we designed the LSI circuit which enables to operate adaptively with
different types of phase change material
by controlling external bias voltages of the LSI circuit.
In this paper, we present a non-volatile MPLD that designed by above method,
and the operation of the prototype chip was verified by f testing the fabricated chips.
キーワード (和) 再構成型デバイス / 相変化メモリ / MPLD / 不揮発性再構成型デバイス / / / /  
(英) Programmable Logic Device / Phase Change Memory / MPLD / Nonvolatile Programmable Logic Device / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 221, RECONF2013-25, pp. 31-36, 2013年9月.
資料番号 RECONF2013-25 
発行日 2013-09-11 (RECONF) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード RECONF2013-25

研究会情報
研究会 RECONF  
開催期間 2013-09-18 - 2013-09-19 
開催地(和) 北陸先端科学技術大学院大学 
開催地(英) Japan Advanced Institute of Science and Technology 
テーマ(和) リコンフィギャラブルシステム、一般 
テーマ(英) Reconfigurable Systems, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 RECONF 
会議コード 2013-09-RECONF 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 相変化物質を用いた不揮発性再構成型デバイス開発プラットフォーム 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Nonvolatile reconfigurable device development platform using a phase change material 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 再構成型デバイス / Programmable Logic Device  
キーワード(2)(和/英) 相変化メモリ / Phase Change Memory  
キーワード(3)(和/英) MPLD / MPLD  
キーワード(4)(和/英) 不揮発性再構成型デバイス / Nonvolatile Programmable Logic Device  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 道田 拓巳 / Takumi Michida / ミチダ タクミ
第1著者 所属(和/英) 広島市立大学 (略称: 広島市大)
Hiroshima City University (略称: Hiroshima City Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 谷川 一哉 / Kazuya Tanigawa / タニガワ カズヤ
第2著者 所属(和/英) 広島市立大学 (略称: 広島市大)
Hiroshima City University (略称: Hiroshima City Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 弘中 哲夫 / Tetsuo Hironaka / ヒロナカ テツオ
第3著者 所属(和/英) 広島市立大学 (略称: 広島市大)
Hiroshima City University (略称: Hiroshima City Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 下舞 賢一 / Kenichi Shimomai / シモマイ ケンイチ
第4著者 所属(和/英) 太陽誘電株式会社 (略称: 太陽誘電)
TAIYO YUDEN CO., LTD. (略称: TAIYO YUDEN)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 石黒 隆 / Takashi Ishiguro / イシグロ タカシ
第5著者 所属(和/英) 太陽誘電株式会社 (略称: 太陽誘電)
TAIYO YUDEN CO., LTD. (略称: TAIYO YUDEN)
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-09-18 17:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 RECONF 
資料番号 RECONF2013-25 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.221 
ページ範囲 pp.31-36 
ページ数
発行日 2013-09-11 (RECONF) 


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