講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-09-18 17:25
相変化物質を用いた不揮発性再構成型デバイス開発プラットフォーム ○道田拓巳・谷川一哉・弘中哲夫(広島市大)・下舞賢一・石黒 隆(太陽誘電) RECONF2013-25 |
抄録 |
(和) |
本研究では相変化メモリを用いた不揮発性再構成型デバイスMPLDの開発手法の研究を行っている.
しかし,一般的な相変化メモリの構造では相変化物質の開発と
相変化物質に対するデータの読み書きを行う電子回路の開発を
同時に行う必要があり,開発費が高騰してしまう.
そこで本研究ではチップ製造後成膜を用いることで多様な相変化物質の成膜実験をできるようにした.
また,相変化物質の特性が変化した場合でもLSIの再設計回数を削減できるように,外部バイアス電圧でLSI部分の動作条件を変更できるよう設計した.
本稿では以上の方法で課題を解決した不揮発性MPLDを設計し,
シミュレーションおよび試作チップにおいて動作確認した. |
(英) |
We have studied a development technique of nonvolatile reconfigurable device MPLD using the phase change memory.
The development cost of the device increases from the necessity of developing both at the same time,
electronic circuits of phase change memory and the phase change material itself
To decrease the development cost,
we enable to form the phase change material layer after manufacturing the LSI.
In addition, to prevent redesigning of the LSI circuit according to the difference of phase change material,
we designed the LSI circuit which enables to operate adaptively with
different types of phase change material
by controlling external bias voltages of the LSI circuit.
In this paper, we present a non-volatile MPLD that designed by above method,
and the operation of the prototype chip was verified by f testing the fabricated chips. |
キーワード |
(和) |
再構成型デバイス / 相変化メモリ / MPLD / 不揮発性再構成型デバイス / / / / |
(英) |
Programmable Logic Device / Phase Change Memory / MPLD / Nonvolatile Programmable Logic Device / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 221, RECONF2013-25, pp. 31-36, 2013年9月. |
資料番号 |
RECONF2013-25 |
発行日 |
2013-09-11 (RECONF) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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RECONF2013-25 |