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講演抄録/キーワード
講演名 2013-08-29 10:45
InP基板上type-II InAs/GaSb超格子を用いた中赤外センサ
三浦広平猪口康博住友電工)・河村裕一阪府大R2013-32 EMD2013-38 CPM2013-57 OPE2013-61 LQE2013-31 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2013-38 CPM2013-57 OPE2013-61 LQE2013-31
抄録 (和) 中赤外センサの受光材料として注目を集めているtype-II InAs/GaSb超格子は、結晶成長には通常GaSb基板が使用される。GaSb基板は赤外領域での透過率が低く、2次元センサアレイのような基板裏面から受光するセンサの作製にはGaSb基板の除去という困難な工程が必要になる。我々は、透過率が高くGaSbとの格子不整合が比較的小さいInP基板に着目した。InP基板上にGaSbバッファ層を厚く成長した後、InAs/GaSb超格子を成長することで、格子不整合に起因する貫通転位が低減し、結晶学的および光学的特性の優れた超格子を得られることを見出した。InP基板上InAs/GaSb超格子を用いて初めてセンサを作製した。InP基板上センサは有望であると考えられる。 
(英) Type-II InAs/GaSb superlattices (SLs), which are attractive for absorption layers of mid-infrared sensors, are usually grown on GaSb substrates. Since GaSb substrates absorb infrared light, other substrates with high transparency are favorable for back-illuminated sensors. We have focused on InP substrate with high transparency and relatively small lattice mismatch. The crystallographic and optical quality of SLs improved as GaSb buffer layer thickness increased due to the reduction of threading dislocations. Infrared sensors with InAs/GaSb SL absorption layers grown on InP substrates were fabricated for the first time. Mid-infrared sensors using InAs/GaSb SLs on InP substrates are promising.
キーワード (和) GaSb / InAs / type-II 超格子 / InP / 中赤外センサ / 暗電流 / /  
(英) GaSb / InAs / type-II superlattice / InP / mid-infrared sensor / dark current / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 190, LQE2013-31, pp. 19-24, 2013年8月.
資料番号 LQE2013-31 
発行日 2013-08-22 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード R2013-32 EMD2013-38 CPM2013-57 OPE2013-61 LQE2013-31 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2013-38 CPM2013-57 OPE2013-61 LQE2013-31

研究会情報
研究会 OPE LQE CPM EMD R  
開催期間 2013-08-29 - 2013-08-30 
開催地(和) サンリフレ函館 
開催地(英) sun-refre Hakodate 
テーマ(和) 光部品・電子デバイス実装技術・信頼性、及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2013-08-OPE-LQE-CPM-EMD-R 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) InP基板上type-II InAs/GaSb超格子を用いた中赤外センサ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Mid-infrared sensors with type-II InAs/GaSb superlattice absorption layers grown on InP substrates 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaSb / GaSb  
キーワード(2)(和/英) InAs / InAs  
キーワード(3)(和/英) type-II 超格子 / type-II superlattice  
キーワード(4)(和/英) InP / InP  
キーワード(5)(和/英) 中赤外センサ / mid-infrared sensor  
キーワード(6)(和/英) 暗電流 / dark current  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 三浦 広平 / Kohei Miura / ミウラ コウヘイ
第1著者 所属(和/英) 住友電気工業 (略称: 住友電工)
Sumitomo Electric Industries, Limited (略称: Sumitomo Electric)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 猪口 康博 / Yasuhiro Iguchi / イグチ ヤスヒロ
第2著者 所属(和/英) 住友電気工業 (略称: 住友電工)
Sumitomo Electric Industries, Limited (略称: Sumitomo Electric)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 河村 裕一 / Yuuichi Kawamura /
第3著者 所属(和/英) 大阪府立大学 (略称: 阪府大)
Osaka Prefecture University (略称: Osaka Prefecture Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-08-29 10:45:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 R2013-32, EMD2013-38, CPM2013-57, OPE2013-61, LQE2013-31 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.186(R), no.187(EMD), no.188(CPM), no.189(OPE), no.190(LQE) 
ページ範囲 pp.19-24 
ページ数
発行日 2013-08-22 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) 


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