講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-08-29 10:45
InP基板上type-II InAs/GaSb超格子を用いた中赤外センサ ○三浦広平・猪口康博(住友電工)・河村裕一(阪府大) R2013-32 EMD2013-38 CPM2013-57 OPE2013-61 LQE2013-31 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2013-38 CPM2013-57 OPE2013-61 LQE2013-31 |
抄録 |
(和) |
中赤外センサの受光材料として注目を集めているtype-II InAs/GaSb超格子は、結晶成長には通常GaSb基板が使用される。GaSb基板は赤外領域での透過率が低く、2次元センサアレイのような基板裏面から受光するセンサの作製にはGaSb基板の除去という困難な工程が必要になる。我々は、透過率が高くGaSbとの格子不整合が比較的小さいInP基板に着目した。InP基板上にGaSbバッファ層を厚く成長した後、InAs/GaSb超格子を成長することで、格子不整合に起因する貫通転位が低減し、結晶学的および光学的特性の優れた超格子を得られることを見出した。InP基板上InAs/GaSb超格子を用いて初めてセンサを作製した。InP基板上センサは有望であると考えられる。 |
(英) |
Type-II InAs/GaSb superlattices (SLs), which are attractive for absorption layers of mid-infrared sensors, are usually grown on GaSb substrates. Since GaSb substrates absorb infrared light, other substrates with high transparency are favorable for back-illuminated sensors. We have focused on InP substrate with high transparency and relatively small lattice mismatch. The crystallographic and optical quality of SLs improved as GaSb buffer layer thickness increased due to the reduction of threading dislocations. Infrared sensors with InAs/GaSb SL absorption layers grown on InP substrates were fabricated for the first time. Mid-infrared sensors using InAs/GaSb SLs on InP substrates are promising. |
キーワード |
(和) |
GaSb / InAs / type-II 超格子 / InP / 中赤外センサ / 暗電流 / / |
(英) |
GaSb / InAs / type-II superlattice / InP / mid-infrared sensor / dark current / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 190, LQE2013-31, pp. 19-24, 2013年8月. |
資料番号 |
LQE2013-31 |
発行日 |
2013-08-22 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
R2013-32 EMD2013-38 CPM2013-57 OPE2013-61 LQE2013-31 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2013-38 CPM2013-57 OPE2013-61 LQE2013-31 |
研究会情報 |
研究会 |
OPE LQE CPM EMD R |
開催期間 |
2013-08-29 - 2013-08-30 |
開催地(和) |
サンリフレ函館 |
開催地(英) |
sun-refre Hakodate |
テーマ(和) |
光部品・電子デバイス実装技術・信頼性、及び一般 |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
LQE |
会議コード |
2013-08-OPE-LQE-CPM-EMD-R |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
InP基板上type-II InAs/GaSb超格子を用いた中赤外センサ |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Mid-infrared sensors with type-II InAs/GaSb superlattice absorption layers grown on InP substrates |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
GaSb / GaSb |
キーワード(2)(和/英) |
InAs / InAs |
キーワード(3)(和/英) |
type-II 超格子 / type-II superlattice |
キーワード(4)(和/英) |
InP / InP |
キーワード(5)(和/英) |
中赤外センサ / mid-infrared sensor |
キーワード(6)(和/英) |
暗電流 / dark current |
キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
三浦 広平 / Kohei Miura / ミウラ コウヘイ |
第1著者 所属(和/英) |
住友電気工業 (略称: 住友電工)
Sumitomo Electric Industries, Limited (略称: Sumitomo Electric) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
猪口 康博 / Yasuhiro Iguchi / イグチ ヤスヒロ |
第2著者 所属(和/英) |
住友電気工業 (略称: 住友電工)
Sumitomo Electric Industries, Limited (略称: Sumitomo Electric) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
河村 裕一 / Yuuichi Kawamura / |
第3著者 所属(和/英) |
大阪府立大学 (略称: 阪府大)
Osaka Prefecture University (略称: Osaka Prefecture Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2013-08-29 10:45:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
LQE |
資料番号 |
R2013-32, EMD2013-38, CPM2013-57, OPE2013-61, LQE2013-31 |
巻番号(vol) |
vol.113 |
号番号(no) |
no.186(R), no.187(EMD), no.188(CPM), no.189(OPE), no.190(LQE) |
ページ範囲 |
pp.19-24 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2013-08-22 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
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