研究会情報 |
研究会 |
ED |
開催期間 |
2013-08-08 - 2013-08-09 |
開催地(和) |
富山大学工学部 大会議室 |
開催地(英) |
University of Toyama |
テーマ(和) |
半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ED |
会議コード |
2013-08-ED |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
GaAs上の領域選択分子線成長による面内配向InAsナノワイヤの試作と電気的評価 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Fabrication and electrical characterization of in-plane-oriented InAs nanowires by selective area molecular beam epitaxy on GaAs |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
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キーワード(2)(和/英) |
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キーワード(3)(和/英) |
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キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
赤堀 誠志 / Masashi Akabori / アカボリ マサシ |
第1著者 所属(和/英) |
北陸先端科学技術大学院大学 (略称: 北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称: JAIST) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
村上 達也 / Tatsuya Murakami / ムラカミ タツヤ |
第2著者 所属(和/英) |
北陸先端科学技術大学院大学 (略称: 北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称: JAIST) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
山田 省二 / Syoji Yamada / ヤマダ ショウジ |
第3著者 所属(和/英) |
北陸先端科学技術大学院大学 (略称: 北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称: JAIST) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第4著者 所属(和/英) |
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第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2013-08-09 10:55:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ED |
資料番号 |
ED2013-48 |
巻番号(vol) |
vol.113 |
号番号(no) |
no.176 |
ページ範囲 |
pp.55-59 |
ページ数 |
5 |
発行日 |
2013-08-01 (ED) |