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講演抄録/キーワード
講演名 2013-08-02 10:55
シリコン貫通ビアに適用可能なナノ結晶組織を有するHfNx膜のバリヤ特性
佐藤 勝武山真弓北見工大)・青柳英二東北大)・野矢 厚北見工大CPM2013-51 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2013-51
抄録 (和) 高性能な3次元LSIを実現するためには、シリコン貫通ビア配線(TSV)が重要な要素技術となる。我々は、TSVに適用できるバリヤ材料を選定するための材料設計の指針を提案し、その提案に基づいて、HfNをバリヤ材料として選定し、Cu/HfNx/SiO2/Siモデル構造におけるHfNx膜のバリヤ特性を検討した。その結果、バリヤ材料としてナノ結晶組織のHfNx膜を用いることで、薄いバリヤであっても優れたバリヤ特性を得ることができることを実証したことから、我々が提案した材料設計の指針は、TSVに適用できるバリヤ材料を選定する上で有効と考えられる。 
(英) Through silicon via (TSV) technology is important to realize 3D integration by stacking chips or wafers. We propose concept of the diffusion barrier material for Cu as a conducting material filled in a downsized via. We choose HfNx as a material that will meet the concept and examine properties of the HfNx film as a barrier in the Cu/HfNx/SiO2/Si model system. It is revealed that the HfNx film consists of an HfN phase in a nanocrystalline texture shows good properties as a barrier for TSV application satisfying the concept proposed, indicating that the concept are also valid for that of TSV technology.
キーワード (和) 3次元LSI / シリコン貫通ビア / バリヤ材料 / HfN / ナノ結晶 / / /  
(英) TSV / 3D integration / barrier material / HfN / nanocrystalline / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 171, CPM2013-51, pp. 63-68, 2013年8月.
資料番号 CPM2013-51 
発行日 2013-07-25 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2013-51 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2013-51

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2013-08-01 - 2013-08-02 
開催地(和) 釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞 
開催地(英)  
テーマ(和) 電子部品・材料,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2013-08-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) シリコン貫通ビアに適用可能なナノ結晶組織を有するHfNx膜のバリヤ特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Barrier Properties of Nanocrystalline HfNx Films Applicable to Through Si Via 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 3次元LSI / TSV  
キーワード(2)(和/英) シリコン貫通ビア / 3D integration  
キーワード(3)(和/英) バリヤ材料 / barrier material  
キーワード(4)(和/英) HfN / HfN  
キーワード(5)(和/英) ナノ結晶 / nanocrystalline  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 勝 / Masaru Sato /
第1著者 所属(和/英) 北見工業大学 (略称: 北見工大)
Kitami Institute of Technology (略称: Kitami Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 武山 真弓 / Mayumi B. Takeyama /
第2著者 所属(和/英) 北見工業大学 (略称: 北見工大)
Kitami Institute of Technology (略称: Kitami Inst. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 青柳 英二 / Eiji Aoyagi /
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 野矢 厚 / Atsushi Noya /
第4著者 所属(和/英) 北見工業大学 (略称: 北見工大)
Kitami Institute of Technology (略称: Kitami Inst. of Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-08-02 10:55:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2013-51 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.171 
ページ範囲 pp.63-68 
ページ数
発行日 2013-07-25 (CPM) 


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