講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-08-02 10:55
シリコン貫通ビアに適用可能なナノ結晶組織を有するHfNx膜のバリヤ特性 ○佐藤 勝・武山真弓(北見工大)・青柳英二(東北大)・野矢 厚(北見工大) CPM2013-51 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2013-51 |
抄録 |
(和) |
高性能な3次元LSIを実現するためには、シリコン貫通ビア配線(TSV)が重要な要素技術となる。我々は、TSVに適用できるバリヤ材料を選定するための材料設計の指針を提案し、その提案に基づいて、HfNをバリヤ材料として選定し、Cu/HfNx/SiO2/Siモデル構造におけるHfNx膜のバリヤ特性を検討した。その結果、バリヤ材料としてナノ結晶組織のHfNx膜を用いることで、薄いバリヤであっても優れたバリヤ特性を得ることができることを実証したことから、我々が提案した材料設計の指針は、TSVに適用できるバリヤ材料を選定する上で有効と考えられる。 |
(英) |
Through silicon via (TSV) technology is important to realize 3D integration by stacking chips or wafers. We propose concept of the diffusion barrier material for Cu as a conducting material filled in a downsized via. We choose HfNx as a material that will meet the concept and examine properties of the HfNx film as a barrier in the Cu/HfNx/SiO2/Si model system. It is revealed that the HfNx film consists of an HfN phase in a nanocrystalline texture shows good properties as a barrier for TSV application satisfying the concept proposed, indicating that the concept are also valid for that of TSV technology. |
キーワード |
(和) |
3次元LSI / シリコン貫通ビア / バリヤ材料 / HfN / ナノ結晶 / / / |
(英) |
TSV / 3D integration / barrier material / HfN / nanocrystalline / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 171, CPM2013-51, pp. 63-68, 2013年8月. |
資料番号 |
CPM2013-51 |
発行日 |
2013-07-25 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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