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講演抄録/キーワード
講演名 2013-08-02 09:25
完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減
水谷朋子東大)・山本芳樹槇山秀樹篠原博文岩松俊明尾田秀一杉井信之超低電圧デバイス技研組合)・平本俊郎東大エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-75 ICD2013-57
抄録 (和) 65nm技術で作製した完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルのセル電流ばらつきを評価し,バルクSRAMセルと比較した.SOTB SRAMセルではバルクSRAMセルと比較してセル電流ばらつきを大幅に抑制できることを実測で示し,その主な原因がVTHばらつきの低減であり,他のパラメータの効果は小さいことを明らかにした. 
(英) Cell current (ICELL) variability in 6T-SRAM composed of silicon-on-thin-BOX (SOTB) MOSFETs by 65nm technology is measured and compared with that of conventional bulk MOSFETs. It is found that ICELL variability in SOTB SRAM is drastically suppressed compared with bulk SRAM especially at low supply voltage (VDD) of 0.4V. It is confirmed that the main origin of suppressed ICELL variability is small VTH variability while small Gm, DIBL, and current-onset voltage (COV) variability has only minor effects.
キーワード (和) ばらつき / セル電流 / FD SOI / / / / /  
(英) Variability / Cell Current / FD SOI / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 172, SDM2013-75, pp. 47-52, 2013年8月.
資料番号 SDM2013-75 
発行日 2013-07-25 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 SDM ICD  
開催期間 2013-08-01 - 2013-08-02 
開催地(和) 金沢大学 角間キャンパス 
開催地(英) Kanazawa University 
テーマ(和) 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2013-08-SDM-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Reduced Cell Current Variability in Fully Depleted Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAM Cells at Supply Voltage of 0.4V 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ばらつき / Variability  
キーワード(2)(和/英) セル電流 / Cell Current  
キーワード(3)(和/英) FD SOI / FD SOI  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 水谷 朋子 / Tomoko Mizutani / ミズタニ トモコ
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 芳樹 / Yoshiki Yamamoto / ヤマモト ヨシキ
第2著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 槇山 秀樹 / Hideki Makiyama / マキヤマ ヒデキ
第3著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 篠原 博文 / Hirofumi Shinohara / シノハラ ヒロフミ
第4著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩松 俊明 / Toshiaki Iwamatsu / イワマツ トシアキ
第5著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 尾田 秀一 / Hidekazu Oda / オダ ヒデカズ
第6著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉井 信之 / Nobuyuki Sugii / スギイ ノブユキ
第7著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ
第8著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
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講演者
発表日時 2013-08-02 09:25:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2013-75,IEICE-ICD2013-57 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.172(SDM), no.173(ICD) 
ページ範囲 pp.47-52 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2013-07-25,IEICE-ICD-2013-07-25 


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