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| 講演名 | 2013-08-01 09:50 マルチ・ゲート酸化膜を備え自己整合プロセスを用いたDual Work Function (DWF) MOSFETsの低消費RFアプリケーションに対するスケーリングの方針 ○宮田俊敬・川中 繁・外園 明・大黒達也・豊島義明（東芝）  SDM2013-67 ICD2013-49 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2013-67 ICD2013-49 |
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| 抄録 | （和） | 汎用CMOSプロセスを用いて、ゲート長が100nmの自己整合的なDual Work Function (DWF)-MOSFET を今回初めて試作した。この結果から、トランスコンダクタンス(GM)及びドレインコンダクタンス(GD)の向上だけでなく、複数のゲート絶縁膜を有したDWF-MOSFET構造により動作電圧のマージンを広げることが可能となる。またTCAD解析により、RFアプリケーションに対する低消費電力化の潜在能力を示し、DWF-MOSFET動作による従来のスケーリングとは異なるアプローチを明示する。 |
| （英） | Dual Work Function (DWF)-MOSFET of 100 nm gate length device with self-aligned integration scheme was demonstrated utilizing conventional CMOS platform process for the first time. Here, we obtained not only the improved transconductance (GM) and drain conductance (GD), but also the enlarged operation voltage window employing multi gate oxide structure combined with DWF-MOSFET gate stack. Also, the discriminative features of DWF-MOSFET operation were revealed by TCAD analysis indicating the potential ability of reduced power consumption for RF applications. | |
| キーワード | （和） | RFトランジスタ / Dual Work Function FET / DWF-FET / Multi Gate Oxide Dual Work Function / MGO-DWF-FET / / / |
| （英） | RF transistor / Dual Work Function FET / DWF-FET / Multi Gate Oxide Dual Work Function / MGO-DWF-FET / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 172, SDM2013-67, pp. 13-18, 2013年8月. | |
| 資料番号 | SDM2013-67 | |
| 発行日 | 2013-07-25 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-67 ICD2013-49 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2013-67 ICD2013-49 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ICD |
| 開催期間 | 2013-08-01 - 2013-08-02 |
| 開催地（和） | 金沢大学 角間キャンパス |
| 開催地（英） | Kanazawa University |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-08-SDM-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | マルチ・ゲート酸化膜を備え自己整合プロセスを用いたDual Work Function (DWF) MOSFETsの低消費RFアプリケーションに対するスケーリングの方針 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Scaling Strategy for Low Power RF Applications with Multi Gate Oxide Dual Work function (DWF) MOSFETs Utilizing Self-Aligned Integration Scheme |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | RFトランジスタ / RF transistor |
| キーワード(2)（和/英） | Dual Work Function FET / Dual Work Function FET |
| キーワード(3)（和/英） | DWF-FET / DWF-FET |
| キーワード(4)（和/英） | Multi Gate Oxide Dual Work Function / Multi Gate Oxide Dual Work Function |
| キーワード(5)（和/英） | MGO-DWF-FET / MGO-DWF-FET |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮田 俊敬 / Toshitaka Miyata / ミヤタ トシタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東芝 (略称： 東芝) TOSHIBA (略称： TOSHIBA) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川中 繁 / Shigeru Kawanaka / カワナカ シゲル |
| 第2著者 所属（和/英） | 東芝 (略称： 東芝) TOSHIBA (略称： TOSHIBA) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 外園 明 / Akira Hokazono / ホカゾノ アキラ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東芝 (略称： 東芝) TOSHIBA (略称： TOSHIBA) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大黒 達也 / Tatsuya Ohguro / オオグロ タツヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東芝 (略称： 東芝) TOSHIBA (略称： TOSHIBA) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 豊島 義明 / Yoshiaki Toyoshima / トヨシマ ヨシアキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東芝 (略称： 東芝) TOSHIBA (略称： TOSHIBA) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-08-01 09:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-67, ICD2013-49 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.172(SDM), no.173(ICD) |
| ページ範囲 | pp.13-18 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-07-25 (SDM, ICD) |
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