お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2020年7月開催~)
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2013-08-01 09:00
SOI構造における急峻なサブスレッショルド特性の解析
森 貴之井田次郎金沢工大SDM2013-65 ICD2013-47 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-65 ICD2013-47
抄録 (和) フローティングボディ構造 (FB) 及びボディタイ構造 (BT) のSOI MOSFETにおいて急峻なサブスレッショルド特性 (Subthreshold Slope : SS) を見出し,解析を行った.FBでは,フローティングボディ効果 (Floating Body Effect : FBE) によってSSが急峻化しているのに対し,BTでは,ボディ方向へ流れる電流が電圧降下を引き起こし,寄生バイポーラトランジスタ (Parasitic Bipolar Transistor : PBT) をオンするため,SSが急峻化することが分かった.また,シミュレーションによる各種パラメータ依存性より,部分空乏型 (PD) SOI MOSFETにおいて急峻なSSは発生しやすいことが分かった.今後,より低い電圧で急峻なSSを発生させるためには,ゲート酸化膜厚やSOI膜厚を通常のスケーリングとは異なる形で最適化する必要があると考えられる. 
(英) We have found out that the steep Subthreshold Slope (SS) appears in the Floating-Body (FB) and the Body-Tied (BT) SOI MOSFET and its mechanism have investigated. The steep SS in the FB occurs by Floating Body Effect (FBE), while the steep SS in the BT occurs by Parasitic Bipolar Transistor (PBT) caused by the voltage drop with the body current. In addition to those, the steep SS tends to appear in the Partially Depleted (PD) SOI MOSFET. In order to generate the steep SS at lower voltages, it is necessary to optimize the SOI film thickness and the gate oxide thickness by a different method from the con-ventional scaling.
キーワード (和) SOI / フローティングボディ / ボディタイ / Steep Subthreshold Slope / / / /  
(英) SOI / Floating-Body / Body-Tied / Steep Subthreshold Slope / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 172, SDM2013-65, pp. 1-6, 2013年8月.
資料番号 SDM2013-65 
発行日 2013-07-25 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2013-65 ICD2013-47 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-65 ICD2013-47

研究会情報
研究会 SDM ICD  
開催期間 2013-08-01 - 2013-08-02 
開催地(和) 金沢大学 角間キャンパス 
開催地(英) Kanazawa University 
テーマ(和) 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2013-08-SDM-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SOI構造における急峻なサブスレッショルド特性の解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Analysis of Steep Subthreshold Slope Characteristics in SOI MOSFET 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SOI / SOI  
キーワード(2)(和/英) フローティングボディ / Floating-Body  
キーワード(3)(和/英) ボディタイ / Body-Tied  
キーワード(4)(和/英) Steep Subthreshold Slope / Steep Subthreshold Slope  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 森 貴之 / Takayuki Mori / モリ タカユキ
第1著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: Kanazawa Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 井田 次郎 / Jiro Ida / イダ ジロウ
第2著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: Kanazawa Inst. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第3著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第4著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2013-08-01 09:00:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2013-65,IEICE-ICD2013-47 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.172(SDM), no.173(ICD) 
ページ範囲 pp.1-6 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2013-07-25,IEICE-ICD-2013-07-25 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会