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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-08-01 09:25 合成電界効果によるトンネルトランジスタの性能向上 ○森田行則・森 貴洋・右田真司・水林 亘・田邊顕人・福田浩一・遠藤和彦・松川 貴・大内真一・柳 永シュン・昌原明植・太田裕之（産総研）  SDM2013-66 ICD2013-48 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2013-66 ICD2013-48 |
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| 抄録 | （和） | トンネル電界効果トランジスタ (TFET) の特性を改善する新規なチャネル構造および電極構造を備えた合成電界TFETを提案・実証した．高濃度ソース上にSiエピタキシャル成長技術を用い極めて薄いチャネルを堆積した後，チャネルを加工して，2層チャネル周囲にゲート電極を配置し立体構造のトランジスタとした．トンネル接合に横方向と縦方向の電界を重畳させ，より強い電界をトンネル接合界面に印加することで，従来構造TFETに比較して1-2桁のドレイン電流増大効果が得られた． |
| （英） | A synthetic electric field effect to enhance the performance of tunnel field-effect transistors (TFETs) is proposed. The TFET utilizes both top- and side-gate electric fields induced by a wrapped gate electrode configuration. The device concept was experimentally verified by fabricating Si-TFETs integrated with ultrathin epitaxial channel. Scaling of both the channel width and channel thickness enhances the TFET performance owing to the enhanced synthetic electric field. | |
| キーワード | （和） | トンネルFET / TFET / 合成電界 / エピタキシャル成長 / / / / |
| （英） | Tunnel FET / TFET / synthetic electric field / epitaxial growth / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 172, SDM2013-66, pp. 7-12, 2013年8月. | |
| 資料番号 | SDM2013-66 | |
| 発行日 | 2013-07-25 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-66 ICD2013-48 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2013-66 ICD2013-48 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ICD |
| 開催期間 | 2013-08-01 - 2013-08-02 |
| 開催地（和） | 金沢大学 角間キャンパス |
| 開催地（英） | Kanazawa University |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-08-SDM-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 合成電界効果によるトンネルトランジスタの性能向上 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Performance Enhancement of Tunnel Field-Effect Transistors by Synthetic Electric Field Effect |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | トンネルFET / Tunnel FET |
| キーワード(2)（和/英） | TFET / TFET |
| キーワード(3)（和/英） | 合成電界 / synthetic electric field |
| キーワード(4)（和/英） | エピタキシャル成長 / epitaxial growth |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森田 行則 / Yukinori Morita / モリタ ユキノリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 貴洋 / Takahiro Mori / モリ タカヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 右田 真司 / Shinji Migita / ミギタ シンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水林 亘 / Wataru Mizubayashi / ミズバヤシ ワタル |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田邊 顕人 / Akihito Tanabe / タナベ アキヒト |
| 第5著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福田 浩一 / Koichi Fukuda / フクダ コウイチ |
| 第6著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 和彦 / Kazuhiko Endo / エンドウ カズヒコ |
| 第7著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松川 貴 / Takashi Matsukawa / マツカワ タカシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大内 真一 / Shin-ichi O'uchi / オオウチ シンイチ |
| 第9著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳 永シュン / Yongxun Liu / リュウ エイシュン |
| 第10著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 昌原 明植 / Meishoku Masahara / マサハラ メイショク |
| 第11著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 太田 裕之 / Hiroyuki Ota / オオタ ヒロユキ |
| 第12著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-08-01 09:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-66, ICD2013-48 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.172(SDM), no.173(ICD) |
| ページ範囲 | pp.7-12 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-07-25 (SDM, ICD) |
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