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講演抄録/キーワード
講演名 2013-07-18 10:20
微細構造の実効誘電率計算のための静電界解析
平野拓一広川二郎安藤 真東工大MW2013-50 OPE2013-19 EST2013-14 MWP2013-9 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2013-50 OPE2013-19 EST2013-14 MWP2013-9
抄録 (和) 著者らは、CMOSチップで必須となるダミーメタルの影響評価を行い、等価媒質定数を求める手法を提案してきた。等価媒質定数の抽出手法として過去に次の2つの手法(1)1周期構造を考え、伝搬固有モードを電磁界解析して、伝搬定数と特性インピーダンスから抽出する方法、(2)1周期構造を考え、キャパシタモデル、インダクタモデルの電磁界解析よりキャパシタンスとインダクタンスから等価媒質定数を抽出する方法を提案している。本稿ではこれらの結果のさらなる検証のために、波長に比して微細な構造の実効誘電率を計算する。解析手法としては1周期の構造について静電界解析(ラプラスの方程式)を解き、キャパシタンスを計算する手法について検討した。実効誘電率は過去に提案した手法で計算した値とよく一致した。 
(英) The authors have proposed evaluation technique of effective material property for dummy metal fills, which is inevitable to use in CMOS process. The proposed methods were (1) method that analyze eigenmode of a unit-cell by assuming wave propagation problem, and (2) method that assume capacitor and inductor model for a unit-cell to extract effective material property. This report presents electrostatic analysis of effective permittivity for dummy metal fills used in CMOS chips in order to verify the proposed methods in the past and to propose quick evaluation method. The effective permittivity agreed very well with those calculated by proposed methods in the past.
キーワード (和) 微細構造 / ダミーメタルフィル / CMOS / 静電界解析 / 実効誘電率 / ラプラスの方程式 / 抽出 /  
(英) Microstructure / Dummy metal fills / CMOS / Electrostatic analysis / Effective permittivity / Laplace equation / Laplace equation /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 143, EST2013-14, pp. 13-18, 2013年7月.
資料番号 EST2013-14 
発行日 2013-07-11 (MW, OPE, EST, MWP) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード MW2013-50 OPE2013-19 EST2013-14 MWP2013-9 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2013-50 OPE2013-19 EST2013-14 MWP2013-9

研究会情報
研究会 EST MWP OPE MW EMT IEE-EMT  
開催期間 2013-07-18 - 2013-07-19 
開催地(和) 稚内総合文化センター 
開催地(英) Wakkanai Synthesis Cultural Center 
テーマ(和) マイクロ波フォトニクス技術、一般 
テーマ(英) Microwave photonic technology etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 EST 
会議コード 2013-07-EST-MWP-OPE-MW-EMT-EMT 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 微細構造の実効誘電率計算のための静電界解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Electrostatic Analysis of Effective Permittivity for Microstructure 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 微細構造 / Microstructure  
キーワード(2)(和/英) ダミーメタルフィル / Dummy metal fills  
キーワード(3)(和/英) CMOS / CMOS  
キーワード(4)(和/英) 静電界解析 / Electrostatic analysis  
キーワード(5)(和/英) 実効誘電率 / Effective permittivity  
キーワード(6)(和/英) ラプラスの方程式 / Laplace equation  
キーワード(7)(和/英) 抽出 / Laplace equation  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 平野 拓一 / Takuichi Hirano / ヒラノ タクイチ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 広川 二郎 / Jiro Hirokawa / ヒロカワ ジロウ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 安藤 真 / Makoto Ando / アンドウ マコト
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-07-18 10:20:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 EST 
資料番号 MW2013-50, OPE2013-19, EST2013-14, MWP2013-9 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.141(MW), no.142(OPE), no.143(EST), no.144(MWP) 
ページ範囲 pp.13-18 
ページ数
発行日 2013-07-11 (MW, OPE, EST, MWP) 


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