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講演抄録/キーワード
講演名 2013-07-11 12:45
インピーダンスバランス制御によるCMOS基板雑音抑制法
前田真彰松嶋 徹久門尚史和田修己京大EMCJ2013-30
抄録 (和) LSIの動作時に電源系を流れる高周波電流は,寄生結合を介して半導体基板に流れ込み,基板電位の変動による回路性能の劣化を引き起こす.
本報告では,半導体基板内の寄生結合を含んだCMOS回路の電源系等価回路がブリッジ回路を構成することに着目し,可変抵抗でインピーダンスバランスを制御することによって基板電位変動を抑制できることを示した.
また,QFPを想定した試験基板を用いて提案手法の有効性を実験的に検証し,最大40~dBの電位変動抑制効果を実証した. 
(英) Simultaneous switching current generated by operation of a CMOS circuit is injected into the CMOS substrate, and causes the substrate voltage bounce. The performance of the circuit degrades due to the voltage bounce.
In this report, we focus on the fact that parasitic couplings in the CMOS substrate and parasitic inductance in the power and ground connection form a bridge circuit, and we demonstrate that the voltage bounce can be suppressed by controlling variable resistances that are inserted between the substrate resistive coupling and the conductor line for the power supply. The effectiveness of this method is verified with a quad flat package (QFP) and we reduced
the voltage bounce about 40 dB.
キーワード (和) CMOS回路 / CMOS基板雑音 / インピーダンスバランス / QFP / / / /  
(英) CMOS circuit / Substrate noise coupling / Impedance balance control / QFP / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 122, EMCJ2013-30, pp. 15-20, 2013年7月.
資料番号 EMCJ2013-30 
発行日 2013-07-04 (EMCJ) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EMCJ2013-30

研究会情報
研究会 EMCJ  
開催期間 2013-07-11 - 2013-07-11 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 若手研究者発表会 
テーマ(英) Young Scientists meeting 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 EMCJ 
会議コード 2013-07-EMCJ 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) インピーダンスバランス制御によるCMOS基板雑音抑制法 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Impedance Balance Control for Suppression of Substrate Noise Coupling in CMOS IC 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) CMOS回路 / CMOS circuit  
キーワード(2)(和/英) CMOS基板雑音 / Substrate noise coupling  
キーワード(3)(和/英) インピーダンスバランス / Impedance balance control  
キーワード(4)(和/英) QFP / QFP  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 前田 真彰 / Masaaki Maeda / マエダ マサアキ
第1著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 松嶋 徹 / Tohlu Matsushima / マツシマ トオル
第2著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 久門 尚史 / Takashi Hisakado / ヒサカド タカシ
第3著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 和田 修己 / Osami Wada / ワダ オサミ
第4著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ)
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-07-11 12:45:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 EMCJ 
資料番号 EMCJ2013-30 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.122 
ページ範囲 pp.15-20 
ページ数
発行日 2013-07-04 (EMCJ) 


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