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講演抄録/キーワード
講演名 2013-07-05 16:50
Independent-Double-Gate-FinFETの1/fノイズ特性に関する研究
坂井秀男慶大)・大内真一遠藤和彦松川 貴柳 永シュン石川由紀塚田順一中川 格関川敏弘小池帆平昌原明植産総研)・石黒仁揮慶大エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2013-43
抄録 (和) 本研究では二つの独立したゲートを持つIndependent-Double-Gate- (IDG-) FinFET の1/fノイズ測定を行った. 両方のゲートに同じ電位を加えたCommon-Double-Gate- (CDG-) modeの1/fノイズ特性と, 片方のゲートに閾値制御バイアスを入力し, もう一方のゲートに信号を加えてトランジスタを作動させるIDG-modeの1/fノイズ特性達を等しいドレイン電流の条件下で測定, 比較した. ドレイン電流で規格化した1/fノイズ特性(SId/Id2)とドレイン電流特性との関係を求めると, IDG-modeとCDG-mode共に, 電流密度が増加するほどSId/Id2が減少し, 値もほぼ等しい傾向が見られた. 次にゲート酸化膜界面部の垂直電界と1/fノイズの関係を示した. 測定の結果CDG-modeとIDG-mode間に電界の強さによる1/fノイズ特性の違いは明確に見られず, 電流密度の値に1/fノイズ特性は大きく支配されている事が分かった. 
(英) In this work, we measured 1/f noise of Independent-Double-Gate- (IDG-) FinFET which has two independent gates. Flicker noise of Common-Double-Gate- (CDG-) mode which both gates are applied with the same voltage and IDG-mode that has one gate voltage grounded and the other gate voltage applied with arbitrary voltage, and both result were compared with the same drain current (Id). First, we measured relationship between characteristic of the normalized 1/f noise by Id (SId/Id2) and characteristic of Id. Both the SId/Id2 of IDG-mode and CDG-mode show nearly equal values and tendency. Next, this work also shows the relationship between 1/f noise and vertical electric field (E⊥) of surface of gate oxide film. As a result we could not definitely see a large margin of 1/f noise between CDG-mode and IDG-mode from E⊥. This work also discovered that 1/f noise was greatly influenced by Id density.
キーワード (和) 1/f noise / Flicker noise / SOI / Double-gate / / / /  
(英) 1/f noise / Flicker noise / SOI / Double-gate / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 112, ICD2013-43, pp. 119-124, 2013年7月.
資料番号 ICD2013-43 
発行日 2013-06-27 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 ICD ITE-IST  
開催期間 2013-07-04 - 2013-07-05 
開催地(和) サン・リフレ函館 
開催地(英) San Refre Hakodate 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路 
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface Circuitry 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2013-07-ICD-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Independent-Double-Gate-FinFETの1/fノイズ特性に関する研究 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Study on 1/f Noise Characteristic in Independent-Double-Gate-FinFET 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 1/f noise / 1/f noise  
キーワード(2)(和/英) Flicker noise / Flicker noise  
キーワード(3)(和/英) SOI / SOI  
キーワード(4)(和/英) Double-gate / Double-gate  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂井 秀男 / Hideo Sakai / サカイ ヒデオ
第1著者 所属(和/英) 慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大内 真一 / Shin-ichi O'uchi / オオウチ シンイチ
第2著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of AIST (略称: AIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠藤 和彦 / Kazuhiko Endo / エンドウ カズヒコ
第3著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of AIST (略称: AIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 松川 貴 / Takashi Matsukawa / マツカワ タカシ
第4著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of AIST (略称: AIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 柳 永シュン / Yongxun Liu / リュウ ユウシュン
第5著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of AIST (略称: AIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 石川 由紀 / Yuki Ishikawa / イシカワ ユキ
第6著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of AIST (略称: AIST)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 塚田 順一 / Junichi Tsukada / ツカダ ジュンイチ
第7著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of AIST (略称: AIST)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 中川 格 / Tadashi Nakagawa / ナカガワ タダシ
第8著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of AIST (略称: AIST)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 関川 敏弘 / Toshihiro Sekigawa / セキガワ トシヒロ
第9著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of AIST (略称: AIST)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 小池 帆平 / Hanpei Koike / コイケ ハンペイ
第10著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of AIST (略称: AIST)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 昌原 明植 / Meishoku Masahara / マサハラ メイショク
第11著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of AIST (略称: AIST)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 石黒 仁揮 / Hiroki Ishikuro / イシクロ ヒロキ
第12著者 所属(和/英) 慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
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講演者
発表日時 2013-07-05 16:50:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2013-43 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.112 
ページ範囲 pp.119-124 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ICD-2013-06-27 


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