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講演抄録/キーワード
講演名 2013-06-21 14:45
フィールドにおけるLSI劣化テストの可能性に関する一考察
佐藤康夫梶原誠司九工大DC2013-12
抄録 (和) 近年の電子機器に組み込まれたLSIは極めて高い信頼性を要求されている.しかしBTI(Bias Temperature Instability)に代表される半導体の劣化現象は,従来の製造テストに依存したフィールドでの信頼性確保を困難にしている.それゆえ,フィールドでのモニタ技術やテスト技術に関する適用事例や研究が数多く報告され始めている.一方,劣化現象そのものについては高精度な物理モデルが知られているにも関わらず,実LSIのフィールドでの振る舞いや,それを踏まえて如何にテストすべきかの観点からの研究は必ずしも多くないように見える.本論文では,代表的な物理モデルを元にLSIのフィールドでの故障発生状況をシミュレーションし,様々なパラメータが品質に及ぼす影響を考察する.フィールドでの品質には数多くのパラメータを正確に把握することは困難なこと,また実際のフィールドでの入手可能な品質データが極めて少ないことから,実際のFIT数とシミュレーションによる予測FIT数を合わせることは困難であるが,その定性的性質について考察可能なことを示す. 
(英) Various electronic systems that consist of variety of LSIs require very high reliability in field. However, physical degradation phenomena such as BTI (Bias Temperature Instability) make it difficult to keep the reliability in field only by conventional fabrication LSI testing. Therefore, many reports or researches in regard to monitoring technologies or field testing have begun to be published. Although intensive researches have done in physical modeling of degradation, it does not seem that so many researches are being done in the degradation activities themselves or the required functionalities of field testing that are based on the modeling. This paper addresses various parameters that affect field reliability of LSIs by a simulation, which is based-on a typical physical model. As it is difficult to define many parameter values correctly and is also hard to get actual reliability data in field, it is impossible to adjust the simulated FIT number to the actual number. However, the authors show that a qualitative discussion clarify the impact of each parameter.
キーワード (和) フィールド / 劣化 / BTI / テスト / 製造バラツキ / FIT / LSI / 半導体  
(英) Field / Degradation / BTI / Test / Fabrication variation / FIT / LSI / Semiconductor devices  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 104, DC2013-12, pp. 13-18, 2013年6月.
資料番号 DC2013-12 
発行日 2013-06-14 (DC) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード DC2013-12

研究会情報
研究会 DC  
開催期間 2013-06-21 - 2013-06-21 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 設計/テスト/検証 
テーマ(英) Design, Test, Verification 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 DC 
会議コード 2013-06-DC 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) フィールドにおけるLSI劣化テストの可能性に関する一考察 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A theretical discussion for testabilty of a degraded LSI in field 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) フィールド / Field  
キーワード(2)(和/英) 劣化 / Degradation  
キーワード(3)(和/英) BTI / BTI  
キーワード(4)(和/英) テスト / Test  
キーワード(5)(和/英) 製造バラツキ / Fabrication variation  
キーワード(6)(和/英) FIT / FIT  
キーワード(7)(和/英) LSI / LSI  
キーワード(8)(和/英) 半導体 / Semiconductor devices  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 康夫 / Yasuo Sato / サトウ ヤスオ
第1著者 所属(和/英) 九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Institute of Technology (略称: Kyushu Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 梶原 誠司 / Seiji Kajihara / カジハラ セイジ
第2著者 所属(和/英) 九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Institute of Technology (略称: Kyushu Inst. of Tech.)
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講演者
発表日時 2013-06-21 14:45:00 
発表時間 30 
申込先研究会 DC 
資料番号 IEICE-DC2013-12 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.104 
ページ範囲 pp.13-18 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-DC-2013-06-14 


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