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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-06-21 15:55 LiNbO3基板上におけるCr2O3薄膜の結晶成長 ○中村拓未・黒田卓司・岩田展幸・山本 寛（日大）  EMD2013-20 CPM2013-35 OME2013-43 エレソ技報アーカイブへのリンク：EMD2013-20 CPM2013-35 OME2013-43 |
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| 抄録 | （和） | c面およびr面LiNbO3(LNO)基板のアニール最適条件探索を行った。c面では温度700ºC～950ºC、5～12時間、r面では温度700ºC～1050ºC、3～24時間大気中でアニールを行った。c面において、5時間では1000ºC以上で湾曲したステップ-テラス構造を確認した。12時間では800ºC以上で湾曲したステップおよびバンチングステップを確認した。また基板表面に約6.2nmの背の高い微粒子が析出していた。この微粒子の数は、アニール温度が高くなるにつれて減少していた。r面では、アニール時間が5時間以下、もしくはアニール温度が1000ºC以上では、針状のステップができることが分かった。700ºCではファセット状のステップおよび数段（約10%）のバンチングステップを確認した。800ºCでは、直線状のステップおよびバンチングステップを確認した。900ºCでは階段状のステップを確認した。900ºC、12時間でアニールしたr面LNO基板上にCr2O3薄膜を成膜した。幅約0.4μm,長さ約4μm以上の一方向に長い一軸異方性を持ったグレインが成長し、グレイン間に約58nmの深い溝が発生していた。ひとつのグレイン表面だけを見ると、nmオーダーで平坦であった。 |
| （英） | The annealing optimal condition is searched of the c- and r-cut LiNbO3(LNO) substrates. Heat treatment of c-cut is carried out in air for 5~12 hour at 700~950ºC. Heat treatment of r-cut is carried out in air for 3~24 hour at 700~1050ºC. In c-cut LNO substrates, the wavy step-terrace structure is observed at 1000ºC or more for 5 hour. At 800ºC or more for 12 hour. A 6.2nm high particulates appeared on the surface of the substrate. A number of particulates decrease at high temperature. In r-cut LNO substrates, It will the step become a form like a needle, if heat treatment time is 5 hour and fewer or temperature is 1000ºC over. At 700ºC and 800ºC, a facet-like step and bunching step, and smooth step bunching step appear. At 900ºC, the step like stairs and bunching step are observed. The Cr2O3 thin films are deposited by DC-RF magnetron sputtering method on r-cut LNO substrates. Uniaxial grains with the size of approximately 0.4μm in wide and longer than 0.4μm in length are observed. The 58nm deep slot occurred between grains. It was flat when measuring only the one grain surface. | |
| キーワード | （和） | Cr2O3 / LiNbO3 / アニール / 薄膜 / 成長 / / / |
| （英） | Cr2O3 / LiNbO3 / anneal / films / growth / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 97, CPM2013-35, pp. 71-76, 2013年6月. | |
| 資料番号 | CPM2013-35 | |
| 発行日 | 2013-06-14 (EMD, CPM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EMD2013-20 CPM2013-35 OME2013-43 エレソ技報アーカイブへのリンク：EMD2013-20 CPM2013-35 OME2013-43 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD CPM OME |
| 開催期間 | 2013-06-21 - 2013-06-21 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 材料デバイスサマーミーティング |
| テーマ（英） | Summer meeting for materials and devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2013-06-EMD-CPM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | LiNbO3基板上におけるCr2O3薄膜の結晶成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystal growth of the Cr2O3 thin films on LiNbO3 Substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cr2O3 / Cr2O3 |
| キーワード(2)（和/英） | LiNbO3 / LiNbO3 |
| キーワード(3)（和/英） | アニール / anneal |
| キーワード(4)（和/英） | 薄膜 / films |
| キーワード(5)（和/英） | 成長 / growth |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 拓未 / Takumi Nakamura / ナカムラ タクミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒田 卓司 / Takuji Kuroda / クロダ タクジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩田 展幸 / Nobuyuki Iwata / イワタ ノブユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 寛 / Hiroshi Yamamoto / ヤマモト ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-06-21 15:55:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | EMD2013-20, CPM2013-35, OME2013-43 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.96(EMD), no.97(CPM), no.98(OME) |
| ページ範囲 | pp.71-76 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-06-14 (EMD, CPM, OME) |
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