講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-06-21 10:35
300 mm基板上にArF液侵リソグラフィーを用いて作製したシリコンフォトニクスデバイス ○北 智洋・田主裕一朗・奈良匡樹・平野 秀(東北大)・外山宗博・関 三好・越野圭二・横山信幸・大塚 実・杉山曜宣・石塚栄一・佐野 作・堀川 剛(産総研)・山田博仁(東北大) OPE2013-7 LQE2013-17 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2013-7 LQE2013-17 |
抄録 |
(和) |
ArF液侵リソグラフィー技術を用いて300 mm SOIウェハ上にチャネル型シリコン細線導波路,方向性結合器,リング共振器を作製し,光学特性を評価した.評価結果は数値計算結果との良い一致を示し,シリコンフォトニクスデバイス作製に本プロセス工程を用いることの有効性が確認された. |
(英) |
We have investigated optical characteristics of Si photonics devices formed on 300 mm SOI wafers by using ArF immersion lithography process. The measurement results were in good agreement with the calculated results for designed structure and the process accuracy for silicon photonics devices were verified. |
キーワード |
(和) |
シリコンフォトニクス / 方向性結合器 / リング共振器 / / / / / |
(英) |
Silicon Photonics / Directional Coupler / Ring resonator / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 99, OPE2013-7, pp. 1-5, 2013年6月. |
資料番号 |
OPE2013-7 |
発行日 |
2013-06-14 (OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
OPE2013-7 LQE2013-17 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2013-7 LQE2013-17 |