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講演抄録/キーワード
講演名 2013-06-18 11:55
MONOS型メモリを用いた長期保存メモリの設計指針
白川裕規山口慶太神谷克政白石賢二筑波大SDM2013-52 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-52
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
(英) There is an increased demand for digital technology in archival storage infrastructure. Therefore, a long lifespan archive memory with high density integration is inevitable. MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide- Semiconductor) type memories have attracted a great attention for the future high density integration non-volatile memories. It is known that MONOS type memories show two types of structural changes in general. One is related to N vacancy defects in Silicon Nitride. These types of defects cause a reversible structural change during Program/Erase (P/E) cycles which is suitable for devices with high P/E endurance. The other is the defect related to excess O atoms in Silicon Nitride. These defects cause an irreversible and a large structural change during P/E cycles, since meta-stable state structure appears after P/E operation. This type of structural change is not suited for high P/E endurance memories. However, it is suitable for a long lifespan archive memory. Moreover, a long lifespan archive memory is essentially read-only-memory (ROM), which does not require the high P/E cycles endurance. In this sense, the guiding principles for a long lifespan ROM is much different from the well-known memories such as flash memories. We focus our attention on this point, and our present calculations clearly show that MONOS-type memories with O related defects reveal large and irreversible structural change upon carrier injection, indicating that MONOS is one of the most promising high density archive memories.
キーワード (和) MONOS / 不揮発性メモリ / 長期保存 / / / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 87, SDM2013-52, pp. 43-46, 2013年6月.
資料番号 SDM2013-52 
発行日 2013-06-11 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2013-52 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-52

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2013-06-18 - 2013-06-18 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2013-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) MONOS型メモリを用いた長期保存メモリの設計指針 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Guiding principles of Long Lifespan Archive Memory using MONOS type Memory 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) MONOS /  
キーワード(2)(和/英) 不揮発性メモリ /  
キーワード(3)(和/英) 長期保存 /  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 白川 裕規 / Hiroki Shirakawa / シラカワ ヒロキ
第1著者 所属(和/英) 筑波大学 (略称: 筑波大)
University of Tsukuba (略称: Univ. of Tsukuba)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 慶太 / Keita Yamaguchi / ヤマグチ ケイタ
第2著者 所属(和/英) 筑波大学 (略称: 筑波大)
University of Tsukuba (略称: Univ. of Tsukuba)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 神谷 克政 / Katsumasa Kamiya / カミヤ カツマサ
第3著者 所属(和/英) 筑波大学 (略称: 筑波大)
University of Tsukuba (略称: Univ. of Tsukuba)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 白石 賢二 / Kenji Shiraishi /
第4著者 所属(和/英) 筑波大学 (略称: 筑波大)
University of Tsukuba (略称: Univ. of Tsukuba)
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講演者
発表日時 2013-06-18 11:55:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2013-52 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.87 
ページ範囲 pp.43-46 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2013-06-11 


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