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講演抄録/キーワード
講演名 2013-06-18 16:10
[依頼講演]熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術
渡部平司チャンタパン アタウット阪大)・中野佑紀中村 孝ローム)・細井卓治志村考功阪大SDM2013-61 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-61
抄録 (和) 熱酸化によって4H-SiC(0001)基板上に形成したMOSデバイス中の可動イオンの異常生成を詳細に調べると共に,その改善策を検討した.熱酸化SiO2/SiCに高温条件下での水素アニールを施すと,Siデバイスと同様にMOS界面の電気特性は向上するが,SiC-MOSデバイスでは正に帯電した可動イオンが生成されることが明らかとなった.可動イオンの存在によってSiC-MOSデバイスのバイアス温度ストレス(bias-temperature stress: BTS)耐性が劣化し,SiC-MOSデバイスの信頼性確保が困難となる.本研究では,可動イオンの評価を通じて,SiC-MOSデバイスへのBTS印加とウエットエッチングを組み合わせることで,界面電気特性と信頼性を大幅に改善する方法を提案し、その優位性を実証した。 
(英) Unusual generation and elimination of mobile ions in thermally grown SiO2 on 4H-SiC(0001) were systematically investigated by means of electrical measurements of MOS capacitors with high temperature hydrogen annealing. In contrast to a SiO2/Si system, positive mobile ions were found in hydrogen-passivated SiO2/SiC structures, leading to significant bias-temperature instability (BTI) of SiC-MOS devices. We also found that the mobile ions in the oxide could be completely eliminated by utilizing bias-temperature stress (BTS) and subsequent oxide etching while preserving good interface quality of SiC-MOS devices.
キーワード (和) シリコンカーバイド / MOSデバイス / 熱酸化膜 / 可動イオン / 水素アニール / / /  
(英) Silicon carbide / MOS device / Thermal oxide / Mobile ion / Hydrogen annealing / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 87, SDM2013-61, pp. 87-90, 2013年6月.
資料番号 SDM2013-61 
発行日 2013-06-11 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2013-61 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-61

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2013-06-18 - 2013-06-18 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2013-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Unusual Generation and Elimination of Mobile Ions in Thermally Grown Oxides in SiC-MOS Devices 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) シリコンカーバイド / Silicon carbide  
キーワード(2)(和/英) MOSデバイス / MOS device  
キーワード(3)(和/英) 熱酸化膜 / Thermal oxide  
キーワード(4)(和/英) 可動イオン / Mobile ion  
キーワード(5)(和/英) 水素アニール / Hydrogen annealing  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡部 平司 / Heiji Watanabe / ワタナベ ヘイジ
第1著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) チャンタパン アタウット / Atthawut Chanthaphan / チャンタパン アタウット
第2著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 中野 佑紀 / Yuki Nakano / ナカノ ユウキ
第3著者 所属(和/英) ローム株式会社 (略称: ローム)
ROHM CO., LTD. (略称: ROHM)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 孝 / Takashi Nakamura / ナカムラ タカシ
第4著者 所属(和/英) ローム株式会社 (略称: ローム)
ROHM CO., LTD. (略称: ROHM)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 細井 卓治 / Takuji Hosoi / ホソイ タクジ
第5著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 志村 考功 / Takayoshi Shimura / シムラ タカヨシ
第6著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ)
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講演者
発表日時 2013-06-18 16:10:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2013-61 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.87 
ページ範囲 pp.87-90 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2013-06-11 


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