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講演抄録/キーワード
講演名 2013-06-18 15:50
[依頼講演]SiC-MOSゲート構造の高信頼性化
先﨑純寿下里 淳田中保宣奥村 元産総研SDM2013-60 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-60
抄録 (和) 超低損失SiC-MOSパワーデバイスの実用化のため,SiC-MOS構造の高性能・高信頼性化は重要な課題である.我々はSiC-MOS構造の高性能・高信頼化技術の確立を目指し,SiC-MOS構造の電気特性へのデバイスプロセス及びウエハ品質の影響について考察した.その結果,高温DRY熱酸化や熱酸化膜形成後の窒化・水素処理を用いることによりSiC-MOS特性向上を実現した.また,転位やSiCエピタキシャル膜表面欠陥がSiC熱酸化膜信頼性の低下要因であることを見出した.最後に SiC熱酸化膜信頼性に対するCMP処理によるSiCウエハ表面平坦化の効果について検討した. 
(英) Influences of wafer-related defect and gate oxide fabrication process on MOS characteristics with gate oxides thermally grown on 4H-SiC wafer have been investigated for a realization of high-performance and high-reliable SiC-MOS power devices. The SiC-MOS characteristics depend on the gate oxide fabrication process, and are improved by the increase of DRY oxidation temperature and the applying of nitridation and hydrogen treatments. In addition, it was clearly shown that predominant origins of SiC-MOS reliability degradation are wafer-related defects such as dislocations and epitaxial surface defects. Moreover, the planarization of SiC epitaxial layer surface using a chemical mechanical polishing treatment is effective technique for the improvement of SiC-MOS reliability.
キーワード (和) シリコンカーバイド / MOSFET / 熱酸化膜 / チャネル移動度 / 信頼性 / 転位 / CMP / 表面ラフネス  
(英) Silicon carbide / MOSFET / Thermal oxide / Channel mobility / Reliability / Dislocation / CMP / Surface roughness  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 87, SDM2013-60, pp. 81-86, 2013年6月.
資料番号 SDM2013-60 
発行日 2013-06-11 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2013-60 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-60

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2013-06-18 - 2013-06-18 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2013-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SiC-MOSゲート構造の高信頼性化 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Challenges of high-reliability in SiC-MOS gate structures 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) シリコンカーバイド / Silicon carbide  
キーワード(2)(和/英) MOSFET / MOSFET  
キーワード(3)(和/英) 熱酸化膜 / Thermal oxide  
キーワード(4)(和/英) チャネル移動度 / Channel mobility  
キーワード(5)(和/英) 信頼性 / Reliability  
キーワード(6)(和/英) 転位 / Dislocation  
キーワード(7)(和/英) CMP / CMP  
キーワード(8)(和/英) 表面ラフネス / Surface roughness  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 先﨑 純寿 / Junji Senzaki / センザキ ジュンジ
第1著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 下里 淳 / Atsushi Shimozato / シモザト アツシ
第2著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 保宣 / Yasunori Tanaka / タナカ ヤスノリ
第3著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 奥村 元 / Hajime Okumura / オクムラ ハジメ
第4著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
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講演者
発表日時 2013-06-18 15:50:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2013-60 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.87 
ページ範囲 pp.81-86 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2013-06-11 


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