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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-06-18 16:45 ［依頼講演］SiC酸化メカニズム解明への試み ～ Si酸化との共通点/異なる点 ～ ○土方泰斗・八木修平・矢口裕之（埼玉大）  SDM2013-62 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2013-62 |
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| 抄録 | （和） | SiC半導体を用いたパワーMOSFETが従来のSi系パワーデバイスを凌駕するには，SiC酸化メカニズムのより一層の理解が不可欠である．本稿では，SiCの酸化メカニズムに対し，何がどこまでわかったかを総括し，Si酸化との共通点と相違点を織り交ぜながら近年の研究事例や課題を紹介していく． |
| （英） | Further understanding of the SiC oxidization mechanism is indispensable for MOSFET using a SiC semiconductor to exceed the conventional Si-based power devices. In this report, we summarize what have been found so far about the oxidization mechanism of SiC, and the research tendency and its subjects in recent years are introduced in terms of common or difference against Si oxidization. | |
| キーワード | （和） | 4H-SiC / 熱酸化膜 / MOSFET / SiO2/SiC界面 / 界面Si原子放出モデル / SiおよびC放出現象 / / |
| （英） | 4H-SiC / Thermal oxide / MOSFET / SiO2/SiC interface / Interfacial Si emission model / Si and C emission phenomenon / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 87, SDM2013-62, pp. 91-96, 2013年6月. | |
| 資料番号 | SDM2013-62 | |
| 発行日 | 2013-06-11 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-62 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2013-62 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2013-06-18 - 2013-06-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiC酸化メカニズム解明への試み |
| サブタイトル（和） | Si酸化との共通点/異なる点 |
| タイトル（英） | An attempt for clarification of SiC oxidation mechanism |
| サブタイトル（英） | Common/different point to Si oxidation |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | 熱酸化膜 / Thermal oxide |
| キーワード(3)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(4)（和/英） | SiO2/SiC界面 / SiO2/SiC interface |
| キーワード(5)（和/英） | 界面Si原子放出モデル / Interfacial Si emission model |
| キーワード(6)（和/英） | SiおよびC放出現象 / Si and C emission phenomenon |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土方 泰斗 / Yasuto Hijikata / ヒジカタ ヤスト |
| 第1著者 所属（和/英） | 埼玉大学 (略称： 埼玉大) Saitama University (略称： Saitama Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 八木 修平 / Shuhei Yagi / ヤギ シュウヘイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 埼玉大学 (略称： 埼玉大) Saitama University (略称： Saitama Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢口 裕之 / Hiroyuki Yaguchi / ヤグチ ヒロユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 埼玉大学 (略称： 埼玉大) Saitama University (略称： Saitama Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-06-18 16:45:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-62 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.87 |
| ページ範囲 | pp.91-96 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-06-11 (SDM) |
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