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講演抄録/キーワード
講演名 2013-06-18 11:15
InGaAs MOSゲートスタック電気特性に与えるメタルゲート電極の影響
張 志宇横山正史金 相賢東大)・市川 磨長田剛規秦 雅彦住友化学)・竹中 充高木信一東大SDM2013-50 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-50
抄録 (和) メタルゲート電極がInGaAs MOSゲートスタックの電気特性に与える影響を評価するために、Al2O3/InGaAsとHfO2/InGaAs上、AlとAuとPdをゲート電極としてそれぞれのMOSキャパシタを作製して、電気特性の評価を行った.電気特性評価の結果により、PdはAl2O3、 HfO2共にMOSキャパシタの容量を上げる効果があることが分かる.一方、Al2O3上ではAuおよびAlゲートでのMOSキャパシタの界面準位がPdゲートより低くなるが、HfO2上では、逆にPdゲートの方が低くなることが分かる.そこで、InGaAs MOS構造におけるメタルゲート電極は、high k絶縁膜とMOS界面の両方の電気特性に影響を与えること、またhigh k絶縁膜の種類によって、最適なゲート電極材料が異なることが明らかとなった. 
(英) Electrical properties of Al2O3 and HfO2/InGaAs metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors with Al, Au and Pd gate electrodes have been evaluated in order to study the impact of metal gate electrodes on gate dielectrics and interface properties. It is found that MOS capacitors with Pd gate electrode can provide thinnest capacitance-equivalent-thickness (CET) and better HfO2/InGaAs MOS interfaces than those with Al and Au. However, the Al2O3/InGaAs interface properties are better in Au and Al gate electrodes than in Pd. Thus, the combination of high-k and gate metals must be carefully examined for realizing optimum gate stacks.
キーワード (和) InGaAs / メタルゲート電極 / High-k ゲートスタック / 界面準位密度 / / / /  
(英) InGaAs / Metal gate electrodes / High-k dielectrics / Interface state density / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 87, SDM2013-50, pp. 33-37, 2013年6月.
資料番号 SDM2013-50 
発行日 2013-06-11 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2013-50 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-50

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2013-06-18 - 2013-06-18 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2013-06-SDM 
本文の言語 英語(日本語タイトルあり) 
タイトル(和) InGaAs MOSゲートスタック電気特性に与えるメタルゲート電極の影響 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Impact of metal gate electrodes on electrical properties of InGaAs MOS gate stacks 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) InGaAs / InGaAs  
キーワード(2)(和/英) メタルゲート電極 / Metal gate electrodes  
キーワード(3)(和/英) High-k ゲートスタック / High-k dielectrics  
キーワード(4)(和/英) 界面準位密度 / Interface state density  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 張 志宇 / Chih-Yu Chang / チョウ シウ
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 横山 正史 / Masafumi Yokoyama / ヨコヤマ マサフミ
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 金 相賢 / Sang-Hyeon Kim / キム サンヒョン
第3著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 市川 磨 / Osamu Ichikawa / イチカワ オサム
第4著者 所属(和/英) 住友化学株式会社 (略称: 住友化学)
Sumitomo Chemical Corporation Ltd. (略称: Sumitomo Chemical)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 長田 剛規 / Takenori Osada / オサダ タケノリ
第5著者 所属(和/英) 住友化学株式会社 (略称: 住友化学)
Sumitomo Chemical Corporation Ltd. (略称: Sumitomo Chemical)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 秦 雅彦 / Masahiko Hata / ハタ マサヒコ
第6著者 所属(和/英) 住友化学株式会社 (略称: 住友化学)
Sumitomo Chemical Corporation Ltd. (略称: Sumitomo Chemical)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹中 充 / Mitsuru Takenaka / タケナカ ミツル
第7著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 高木 信一 / Shinichi Takagi / タカギ シンイチ
第8著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
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講演者
発表日時 2013-06-18 11:15:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2013-50 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.87 
ページ範囲 pp.33-37 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-SDM-2013-06-11 


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