電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2013-06-18 15:10
[依頼講演]POCl3アニールによるSiC-MOSデバイスの高性能化
矢野裕司畑山智亮冬木 隆奈良先端大SDM2013-58 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-58
抄録 (和) POCl3アニールによりSiO2/4H-SiC界面にリンを導入したMOSデバイスの特性を調査した。従来法のNOアニールによる界面窒化と比べて、界面準位密度の低減およびチャネル移動度の改善効果は非常に大きく、POCl3アニールによりSiC-MOSデバイス特性の大幅な高性能化が可能である。80Kにおける繰り返し容量-電圧測定や熱刺激電流法などにより、伝導帯付近の界面準位や界面近傍酸化膜トラップはほとんど検出限界にまで低減された。チャネル移動度はNOアニールに比べて3倍以上向上した。これらの界面特性の改善メカニズムについて、XPSによる界面の化学結合状態をもとに考察した。初期の絶縁破壊電界の劣化はほとんど見られなかったが、高電界により注入された電子がリン導入された酸化膜中に捕獲されることが明らかとなった。 
(英) Effects of phosphorus incorporation by POCl3 annealing on electrical properties of 4H-SiC MOS devices were investigated. POCl3 annealing is more effective to reduce interface state density and improve channel mobility than the conventional NO annealing. C-V and I-V characteristics of MOS capacitors and MOSFETs and their stress tests are introduced.
キーワード (和) 4H-SiC / MOS / 界面欠陥 / POCl3アニール / / / /  
(英) 4H-SiC / MOS / Interface trap / POCl3 anneal / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 87, SDM2013-58, pp. 71-76, 2013年6月.
資料番号 SDM2013-58 
発行日 2013-06-11 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2013-58 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-58

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2013-06-18 - 2013-06-18 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2013-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) POCl3アニールによるSiC-MOSデバイスの高性能化 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) High performance of SiC-MOS devices by POCl3 annealing 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 4H-SiC / 4H-SiC  
キーワード(2)(和/英) MOS / MOS  
キーワード(3)(和/英) 界面欠陥 / Interface trap  
キーワード(4)(和/英) POCl3アニール / POCl3 anneal  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 矢野 裕司 / Hiroshi Yano / ヤノ ヒロシ
第1著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 畑山 智亮 / Tomoaki Hatayama / ハタヤマ トモアキ
第2著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 冬木 隆 / Takashi Fuyuki / フユキ タカシ
第3著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第4著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2013-06-18 15:10:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2013-58 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.87 
ページ範囲 pp.71-76 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2013-06-11 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会