電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2013-06-18 13:55
シリコン酸化膜中に埋め込んだバイオナノ粒子の抵抗変化メモリ効果
上沼睦典阪大)・番 貴彦山下一郎浦岡行治奈良先端大SDM2013-55 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-55
抄録 (和) シリコン酸化膜中にFe3O4ナノ粒子を埋め込むことで安定した抵抗変化スイッチング動作が確認された。バイオ鋳型を用いてナノ粒子を形成することで、ナノ粒子のサイズ均一性や単層吸着、または単一ナノ粒子配置が可能であり、将来の超高密度メモリに応用できると考えられる。さらに発熱解析のよりフィラメント観察が可能であることが明らかとなった。 
(英) We demonstrated a novel biological process based on a use of a supra molecular protein as a reaction cage in which to form a memoristive element. We show that a ferritin protein can be used to generate nanometer-sized Fe3O4 nanoparticle by biomineralization. The synthesized nanoparticles exhibit clear bipolar resistive switching behaviors, leading to their promising potential application in nano-scale resistive memory. Additionally, we observed the filament using temperature mapping microscopy.
キーワード (和) 抵抗変化メモリ / ナノ粒子 / バイオプロセス / フィラメント / / / /  
(英) ReRAM / Nanoparticle / Biological process / Filament / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 87, SDM2013-55, pp. 57-60, 2013年6月.
資料番号 SDM2013-55 
発行日 2013-06-11 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2013-55 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-55

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2013-06-18 - 2013-06-18 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2013-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) シリコン酸化膜中に埋め込んだバイオナノ粒子の抵抗変化メモリ効果 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Resistive Memory Effect of Bio-nanoparticle in Si Oxide Film 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 抵抗変化メモリ / ReRAM  
キーワード(2)(和/英) ナノ粒子 / Nanoparticle  
キーワード(3)(和/英) バイオプロセス / Biological process  
キーワード(4)(和/英) フィラメント / Filament  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 上沼 睦典 / Mutsunori Uenuma / ウエヌマ ムツノリ
第1著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 番 貴彦 / Takahiko Ban /
第2著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 山下 一郎 / Ichiro Yamashita / ヤマシタ イチロウ
第3著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル
第4著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2013-06-18 13:55:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2013-55 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.87 
ページ範囲 pp.57-60 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2013-06-11 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会