電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2013-06-18 10:55
ゲートスタックへのHf導入によるメタル・ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化
山本圭介佐田隆宏王 冬中島 寛九大SDM2013-49 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-49
抄録 (和) 高性能GeチャネルCMOS実現には、寄生抵抗を極限まで低減したメタル・ソース/ドレイン(S/D)の導入が望ましい。我々は、HfGe/Geコンタクトが、p-MOSFET用メタルS/Dに要求される性能を満たすことを見出し、HfGe/GeメタルS/DとAl/SiO2/GeO2/Geゲートスタックを用いたGe p-MOSFETのトランジスタ動作に成功した。さらに、ゲートスタックにHfを導入することで移動度が919 cm2/Vsまで飛躍的に向上することを発見した。この移動度向上はゲートスタックにおける電荷の相互補償によって説明でき、Ge MOSFET高移動度化の有効な手法となる事が期待される。 
(英) Metal source/drain (S/D) with extremely low parasitic resistance is needed for high performance Ge CMOS. We found that HfGe/Ge contact shows characteristics suitable for metal S/D of p-MOSFET, and Ge p-MOSFET with HfGe/Ge metal S/D and Al/SiO2/GeO2/Ge gate stack worked successfully. Furthermore, the mobility was improved to 919 cm2/Vs by Hf introduction in gate stack. It can be explained by charge compensation in gate stack, which is expected to be an effective method to improve mobility of Ge MOSFET.
キーワード (和) Ge / 金属/Geコンタクト / メタル・ソース/ドレイン / MOSFET / / / /  
(英) Ge / metal/Ge contact / metal source/drain / MOSFET / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 87, SDM2013-49, pp. 29-32, 2013年6月.
資料番号 SDM2013-49 
発行日 2013-06-11 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2013-49 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-49

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2013-06-18 - 2013-06-18 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2013-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ゲートスタックへのHf導入によるメタル・ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Mobility Enhancement for Ge p-MOSFET with Metal Source/Drain by Hf Introduction into Gate Stack 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Ge / Ge  
キーワード(2)(和/英) 金属/Geコンタクト / metal/Ge contact  
キーワード(3)(和/英) メタル・ソース/ドレイン / metal source/drain  
キーワード(4)(和/英) MOSFET / MOSFET  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 圭介 / Keisuke Yamamoto / ヤマモト ケイスケ
第1著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐田 隆宏 / Takahiro Sada / サダ タカヒロ
第2著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 王 冬 / Dong Wang / ワン ドン
第3著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 中島 寛 / Hiroshi Nakashima / ナカシマ ヒロシ
第4著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2013-06-18 10:55:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2013-49 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.87 
ページ範囲 pp.29-32 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2013-06-11 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会