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講演抄録/キーワード
講演名 2013-06-18 17:05
[依頼講演]FTIR-ATRスペクトルによる4H-SiCと熱酸化膜の界面構造の解析
喜多浩之東大/JST)・平井悠久東大SDM2013-63 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-63
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文献情報 信学技報, vol. 113, no. 87, SDM2013-63, pp. 97-100, 2013年6月.
資料番号 SDM2013-63 
発行日 2013-06-11 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2013-06-18 - 2013-06-18 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2013-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) FTIR-ATRスペクトルによる4H-SiCと熱酸化膜の界面構造の解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Study on Near-interface Structures of Thermal Oxides Grown on4H-SiC Characterized by Infrared Spectroscopy 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 喜多 浩之 / Koji Kita / キタ コウジ
第1著者 所属(和/英) 東京大学/JSTさきがけ (略称: 東大/JST)
University of Tokyo/JST-PRESTO (略称: Univ. of Tokyo/JST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 平井 悠久 / Hirohisa Hirai /
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
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講演者
発表日時 2013-06-18 17:05:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2013-63 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.87 
ページ範囲 pp.97-100 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2013-06-11 


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