研究会情報 |
研究会 |
SDM |
開催期間 |
2013-06-18 - 2013-06-18 |
開催地(和) |
機械振興会館 |
開催地(英) |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
テーマ(和) |
ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) |
テーマ(英) |
Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2013-06-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
FTIR-ATRスペクトルによる4H-SiCと熱酸化膜の界面構造の解析 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Study on Near-interface Structures of Thermal Oxides Grown on4H-SiC Characterized by Infrared Spectroscopy |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
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キーワード(2)(和/英) |
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キーワード(3)(和/英) |
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キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
喜多 浩之 / Koji Kita / キタ コウジ |
第1著者 所属(和/英) |
東京大学/JSTさきがけ (略称: 東大/JST)
University of Tokyo/JST-PRESTO (略称: Univ. of Tokyo/JST) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
平井 悠久 / Hirohisa Hirai / |
第2著者 所属(和/英) |
東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第3著者 所属(和/英) |
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第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 所属(和/英) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2013-06-18 17:05:00 |
発表時間 |
20分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2013-63 |
巻番号(vol) |
vol.113 |
号番号(no) |
no.87 |
ページ範囲 |
pp.97-100 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2013-06-11 (SDM) |