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講演抄録/キーワード
講演名 2013-06-18 15:30
[依頼講演]SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術
細井卓治阪大)・東雲秀司柏木勇作保坂重敏東京エレクトロン)・中村亮太中野佑紀浅原浩和中村 孝ローム)・木本恒暢京大)・志村考功渡部平司阪大SDM2013-59 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-59
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文献情報 信学技報, vol. 113, no. 87, SDM2013-59, pp. 77-80, 2013年6月.
資料番号 SDM2013-59 
発行日 2013-06-11 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2013-06-18 - 2013-06-18 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2013-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Implementation of High-k Gate Dielectrics in SiC Power MOSFET 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 細井 卓治 / Takuji Hosoi / ホソイ タクジ
第1著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 東雲 秀司 / Shuji Azumo / アズモ シュウジ
第2著者 所属(和/英) 東京エレクトロン (略称: 東京エレクトロン)
Tokyo Electron Limited (略称: Tokyo Electron)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 柏木 勇作 / Yusaku Kashiwagi / カシワギ ユウサク
第3著者 所属(和/英) 東京エレクトロン (略称: 東京エレクトロン)
Tokyo Electron Limited (略称: Tokyo Electron)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 保坂 重敏 / Shigetoshi Hosaka / ホサカ シゲトシ
第4著者 所属(和/英) 東京エレクトロン (略称: 東京エレクトロン)
Tokyo Electron Limited (略称: Tokyo Electron)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 亮太 / Ryota Nakamura / ナカムラ リョウタ
第5著者 所属(和/英) ローム (略称: ローム)
ROHM (略称: ROHM)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 中野 佑紀 / Yuki Nakano / ナカノ ユウキ
第6著者 所属(和/英) ローム (略称: ローム)
ROHM (略称: ROHM)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 浅原 浩和 / Hirokazu Asahara / アサハラ ヒロカズ
第7著者 所属(和/英) ローム (略称: ローム)
ROHM (略称: ROHM)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 孝 / Takashi Nakamura / ナカムラ タカシ
第8著者 所属(和/英) ローム (略称: ローム)
ROHM (略称: ROHM)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 木本 恒暢 / Tsunenobu Kimoto / キモト ツネノブ
第9著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 志村 考功 / Takayoshi Shimura / シムラ タカヨシ
第10著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡部 平司 / Heiji Watanabe / ワタナベ ヘイジ
第11著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-06-18 15:30:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2013-59 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.87 
ページ範囲 pp.77-80 
ページ数
発行日 2013-06-11 (SDM) 


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