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講演抄録/キーワード
講演名 2013-06-18 10:35
HfO2/Ge界面へのルチル型TiO2挿入によるGeOx生成の抑制
小橋和義明大)・長田貴弘生田目俊秀山下良之物質・材料研究機構)・小椋厚志明大)・知京豊裕物質・材料研究機構SDM2013-48 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-48
抄録 (和) Siに代わる新たなチャネル材料として、電子、ホールとともに高い移動度を有したGeが注目されている.しかしながら、high-k/Ge界面の界面準位が大きいことが問題となっている。この問題を解決するために、我々はGe表面のパッシベーション層としてのルチル型TiO2の効果を調べた。HfO2とGe との間にルチル型TiO2を堆積させた結果、GeOxの生成が効果的に抑制された。さらに、C-V 測定において、小さなヒステリシス、EOT = 0.84 nmの優れた電気特性が得られた。 
(英) As a alternative of Si channel, the Ge channel has been proposed and has attracted much attention because of high electron and hole mobility. However, the critical problem of Ge MOS devices is high defect densities at the interface of high-k/Ge structures. To overcome this problem, we investigated rutile TiO2 interlayer as a passivation layer. We fabricated rutile TiO2 interlayer between HfO2 and Ge, and found that the GeOx formation was effectively suppressed. Moreover the good electrical properties with EOT = 0.84 nm and small hysteresis were realized. These procedures would be one of the promising method for Ge MOS device.
キーワード (和) Ge / High-k / MOS / / / / /  
(英) Ge / High-k / MOS / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 87, SDM2013-48, pp. 25-28, 2013年6月.
資料番号 SDM2013-48 
発行日 2013-06-11 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2013-06-18 - 2013-06-18 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2013-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) HfO2/Ge界面へのルチル型TiO2挿入によるGeOx生成の抑制 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Suppression of GeOx with rutile TiO2 Interlayer between HfO2 and Ge 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Ge / Ge  
キーワード(2)(和/英) High-k / High-k  
キーワード(3)(和/英) MOS / MOS  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 小橋 和義 / Kazuyoshi Kobashi / コバシ カズヨシ
第1著者 所属(和/英) 明治大学 (略称: 明大)
Meiji University (略称: Meiji Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 長田 貴弘 / Takahiro Nagata / ナガタ タカヒロ
第2著者 所属(和/英) 物質・材料研究機構 (略称: 物質・材料研究機構)
National Institute for material science (略称: NIMS)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 生田目 俊秀 / Toshihide Nabatame / ナバタメ トシヒデ
第3著者 所属(和/英) 物質・材料研究機構 (略称: 物質・材料研究機構)
National Institute for material science (略称: NIMS)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山下 良之 / Yoshiyuki Yamashita / ヤマシタ ヨシユキ
第4著者 所属(和/英) 物質・材料研究機構 (略称: 物質・材料研究機構)
National Institute for material science (略称: NIMS)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 小椋 厚志 / Atsushi Ogura / オグラ アツシ
第5著者 所属(和/英) 明治大学 (略称: 明大)
Meiji University (略称: Meiji Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 知京 豊裕 / Toyohiro Chikyow / チキョウ トヨヒロ
第6著者 所属(和/英) 物質・材料研究機構 (略称: 物質・材料研究機構)
National Institute for material science (略称: NIMS)
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講演者
発表日時 2013-06-18 10:35:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2013-48 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.87 
ページ範囲 pp.25-28 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2013-06-11 


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