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講演抄録/キーワード
講演名 2013-06-18 17:25
[依頼講演]4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価
梅田享英筑波大)・岡本光央小杉亮治産総研)・荒井 亮佐藤嘉洋筑波大)・原田信介奥村 元産総研)・牧野高紘大島 武原子力機構エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-64
抄録 (和) 4H-SiC MOS型電界効果トランジスタ(MOSFET)はノーマリーオフ,高パワー密度,超低損失のパワーデバイスとして期待され,実用化が進められている.しかし,そのMOS界面は大きな問題を抱えており,界面準位の起源もいまだにはっきりしていない.そこで4H-SiC MOSFETのMOS界面を電流検出電子スピン共鳴分光法(EDMR)で測定し,MOS界面準位の起源について調べた.その結果,4H-SiC(0001)面(Si面)と4H-SiC(000-1)面(C面)で性質の違う界面欠陥が検出された.また,現在スタンダードとなっているSi面の界面窒化では界面準位の範疇に収まらない大きな変化(窒素ドーピング,界面固定窒素の発生)が観測された. 
(英) Normally-off 4H-SiC MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors) are promising devices for power electronics; however, their MOS interfaces are not yet perfect for practical applications. One big issue for this system is an unknown origin of a high interface-state density (Dit) at the 4H-SiC/SiO2 interface. Therefore, we study the origin of the Dit by means of electrically detected magnetic resonance (EDMR) spectroscopy on 4H-SiC MOSFETs. We found a striking difference in the interface defects between the 4H-SiC(0001) and (000-1) faces as well as the characteristic behaviors of nitrogen atoms at the SiC MOS interfaces that are not observed in Si MOS structures.
キーワード (和) 4H-SiC / MOS界面 / 界面欠陥 / 電子スピン共鳴分光 / 窒化処理 / MOSFET / /  
(英) 4H-SiC / MOSFET / MOS interface / interface defect / ESR / EDMR / nitridation /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 87, SDM2013-64, pp. 101-105, 2013年6月.
資料番号 SDM2013-64 
発行日 2013-06-11 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2013-06-18 - 2013-06-18 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2013-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) 4H-SiC MOS interface states studied by electron spin resonance spectroscopy 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 4H-SiC / 4H-SiC  
キーワード(2)(和/英) MOS界面 / MOSFET  
キーワード(3)(和/英) 界面欠陥 / MOS interface  
キーワード(4)(和/英) 電子スピン共鳴分光 / interface defect  
キーワード(5)(和/英) 窒化処理 / ESR  
キーワード(6)(和/英) MOSFET / EDMR  
キーワード(7)(和/英) / nitridation  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 梅田 享英 / T. Umeda / ウメダ タカヒデ
第1著者 所属(和/英) 筑波大学 (略称: 筑波大)
University of Tsukuba (略称: Univ. of Tsukuba)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡本 光央 / M. Okamoto / オカモト ミツオ
第2著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
AIST (略称: AIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 小杉 亮治 / R. Kosugi / コスギ リョウジ
第3著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
AIST (略称: AIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 荒井 亮 / R. Arai / アライ リョウ
第4著者 所属(和/英) 筑波大学 (略称: 筑波大)
University of Tsukuba (略称: Univ. of Tsukuba)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 嘉洋 / Y. Satoh / サトウ ヨシヒロ
第5著者 所属(和/英) 筑波大学 (略称: 筑波大)
University of Tsukuba (略称: Univ. of Tsukuba)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 原田 信介 / S. Harada / ハラダ シンスケ
第6著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
AIST (略称: AIST)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 奥村 元 / Hajime Okumura / オクムラ ハジメ
第7著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
AIST (略称: AIST)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 牧野 高紘 / T. Makino / マキノ タカヒロ
第8著者 所属(和/英) 日本原子力研究開発機構 (略称: 原子力機構)
JAEA (略称: JAEA)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 大島 武 / Takeshi Ohshima / オオシマ タケシ
第9著者 所属(和/英) 日本原子力研究開発機構 (略称: 原子力機構)
JAEA (略称: JAEA)
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講演者
発表日時 2013-06-18 17:25:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2013-64 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.87 
ページ範囲 pp.101-105 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-SDM-2013-06-11 


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