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講演抄録/キーワード
講演名 2013-06-18 13:35
Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定
石部貴史中村芳明・○松井秀紀竹内正太郎酒井 朗阪大SDM2013-54 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-54
抄録 (和) Si基板上鉄酸化物薄膜は、安価で環境低負荷な抵抗変化型メモリ(ReRAM)材料として期待されている。しかし、ON/OFF抵抗比が小さいという問題があるため、良質な薄膜を作製し、漏れ電流を抑制することが必要である。我々は、結晶欠陥が少ないと期待できるエピタキシャル鉄酸化物ナノドットに注目した。本研究では、極薄Si酸化膜を用いることで、鉄酸化物ナノドットをSi基板上へエピタキシャル成長する技術を開発し、その電子状態測定を行った。 
(英) Iron oxide thin film on Si substrate has been expected as a low-cost and ecological material for resistive random access memory. However, there is a problem of small ON/OFF resistive ratio in the iron oxide film on Si. So, it is needed to grow the high quality iron oxide film on Si substrates epitaxially to suppress leak electric current. We focused on epitaxial iron oxide nanodots with less crystal defects. In this study, we develop the epitaxial growth technique for iron oxide nanodots on Si substrate by ultrathin SiO2 film and measure their electronic states using scanning tunneling spectroscopy.
キーワード (和) 鉄酸化物 / 分子線エピタキシー / ナノドット / 電子状態 / 走査トンネル顕微鏡法 / / /  
(英) Iron oxide / Molecular beam epitaxy / Nanodots / Electronic states / Scanning tunneling microscopy / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 87, SDM2013-54, pp. 51-55, 2013年6月.
資料番号 SDM2013-54 
発行日 2013-06-11 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2013-54 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-54

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2013-06-18 - 2013-06-18 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2013-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Epitaxial growth of iron oxide nanodots on Si substrate and their electronic states 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 鉄酸化物 / Iron oxide  
キーワード(2)(和/英) 分子線エピタキシー / Molecular beam epitaxy  
キーワード(3)(和/英) ナノドット / Nanodots  
キーワード(4)(和/英) 電子状態 / Electronic states  
キーワード(5)(和/英) 走査トンネル顕微鏡法 / Scanning tunneling microscopy  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 石部 貴史 / Takafumi Ishibe / イシベ タカフミ
第1著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 芳明 / Yoshiaki Nakamura / ナカムラ ヨシアキ
第2著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 松井 秀紀 / Hideki Matsui / マツイ ヒデキ
第3著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 正太郎 / Shotaro Takeuchi / タケウチ ショウタロウ
第4著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 酒井 朗 / Akira Sakai / サカイ アキラ
第5著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
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講演者
発表日時 2013-06-18 13:35:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2013-54 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.87 
ページ範囲 pp.51-55 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-SDM-2013-06-11 


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