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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-05-31 15:00 寄生成分を考慮した2.1GHz帯20W GaN-HEMT F級増幅器 ○中谷圭吾・石崎俊雄（龍谷大）  MW2013-24 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2013-24 |
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| 抄録 | （和） | 本報告では, 寄生成分を考慮したF級電力増幅器について述べる. 昨今, F級・逆F級など高調波処理に基づくマイクロ波帯高効率増幅器の研究が盛んである. しかしこれら増幅器では, トランジスタの寄生成分により理論的な高調波処理条件が大きくずれる. 使用トランジスタの非線形デバイスモデルがあれば設計出来るが, わからない場合も多い. 本報告では, パッケージに入ったGaN-HEMTの小信号Sパラメータを用いて20W級GaN-HEMTの寄生成分をLCR出力等価回路に回路シミュレータでフィッティングして簡易的に見積もった. その結果からトランジスタの外部整合回路に２倍波・３倍波処理を行うF級負荷回路を設計・試作した. 実験で約74％の良好な効率が得られ, 高調波スペクトルの抑制も確認できた. |
| （英） | In this paper, a design method of Class-F power amplifier considering parasitic elements will be shown. Recently, many studies for microwave high-efficiency power amplifiers based on harmonic processing, such as class-F and inverse class-F, are presented. However, in these amplifiers, harmonic processing conditions might be deviated significantly due to parasitic elements of transistor. If you have a non-linear device model of the transistor, you could obtain an ideal performance. However, in many cases, you might not have the non-linear model. Thus, it is desired to estimate the parasitic elements in a simple manner by fitting the circuit as an LCR equivalent of the transistor. In this study, parasitic elements of 20W-class GaN-HEMT in ceramic package were estimated by using the small-signal S-parameters. Based on the results, a class-F circuit processing second- and third-harmonics were designed and fabricated. High efficiency of about 74% was obtained, and suppression of harmonics was confirmed. | |
| キーワード | （和） | パワーアンプ / GaN / F級 / 逆F級 / E級 / 寄生成分 / 高調波処理 / |
| （英） | Power Amplifier / GaN / Class-F / Inverse Class-F / Class-E / parasitic elements / harmonic treatment / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 70, MW2013-24, pp. 83-87, 2013年5月. | |
| 資料番号 | MW2013-24 | |
| 発行日 | 2013-05-23 (MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2013-24 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2013-24 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2013-05-30 - 2013-05-31 |
| 開催地（和） | 龍谷大学 |
| 開催地（英） | Ryukoku Univ. |
| テーマ（和） | マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2013-05-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 寄生成分を考慮した2.1GHz帯20W GaN-HEMT F級増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 2.1GHz-Band 20W GaN Power Amplifier with Class-F Circuit Considering Parasitic Elements |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | パワーアンプ / Power Amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | F級 / Class-F |
| キーワード(4)（和/英） | 逆F級 / Inverse Class-F |
| キーワード(5)（和/英） | E級 / Class-E |
| キーワード(6)（和/英） | 寄生成分 / parasitic elements |
| キーワード(7)（和/英） | 高調波処理 / harmonic treatment |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中谷 圭吾 / Keigo Nakatani / ナカタニ ケイゴ |
| 第1著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石崎 俊雄 / Toshio Ishizaki / |
| 第2著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-05-31 15:00:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2013-24 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.70 |
| ページ範囲 | pp.83-87 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2013-05-23 (MW) |
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