お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2020年10月開催~)
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2013-05-17 13:30
[招待講演]シリサイド半導体の結晶成長とデバイス応用
鵜殿治彦茨城大ED2013-30 CPM2013-15 SDM2013-37 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-30 CPM2013-15 SDM2013-37
抄録 (和) 豊富な資源量の元素で構成されるシリサイド半導体は、材料を大量消費するエネルギー利用の分野において資源・環境リスクの面から優れたポテンシャルを秘めている。本稿では、我々が進めてきたβ-FeSi2とMg2Siの結晶成長技術と基本的な電気・光学特性、および熱電変換や熱光発電,赤外センサを目指したデバイス開発動向について紹介する。 
(英) Semiconducting silicides are attracted attentions as the green-energy generation materials, like photovoltics and thermoelectrics because abundance of their constituent elements suit for volume consumption materials with a low environment risk and a low cost. In this paper, we report the crystal growth of semiconducting silicides and their device applications for the green energy generation.
キーワード (和) シリサイド半導体 / β-FeSi2 / Mg2Si / 熱電変換 / 赤外受光 / / /  
(英) Semiconducting Silicide / β-FeSi2 / Mg2Si / Thermoelectrics / Infrared photodetector / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 41, SDM2013-37, pp. 77-81, 2013年5月.
資料番号 SDM2013-37 
発行日 2013-05-09 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2013-30 CPM2013-15 SDM2013-37 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-30 CPM2013-15 SDM2013-37

研究会情報
研究会 SDM ED CPM  
開催期間 2013-05-16 - 2013-05-17 
開催地(和) 静大(浜松)創造科学技術大学院 
開催地(英) Shizuoka Univ. (Hamamatsu) Graduate School of Sci. and Technol. 
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料) 
テーマ(英) Crystal Growth, Characterization, Device, etc (compound semiconductors, Si, SiGe, optical and electronic materials) 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2013-05-SDM-ED-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) シリサイド半導体の結晶成長とデバイス応用 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Crystal growth and device application of semiconducting silicides 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) シリサイド半導体 / Semiconducting Silicide  
キーワード(2)(和/英) β-FeSi2 / β-FeSi2  
キーワード(3)(和/英) Mg2Si / Mg2Si  
キーワード(4)(和/英) 熱電変換 / Thermoelectrics  
キーワード(5)(和/英) 赤外受光 / Infrared photodetector  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 鵜殿 治彦 / Haruhiko Udono / ウドノ ハルヒコ
第1著者 所属(和/英) 茨城大学 (略称: 茨城大)
Ibaraki University (略称: Ibaraki Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第2著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第3著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第4著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2013-05-17 13:30:00 
発表時間 35 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-ED2013-30,IEICE-CPM2013-15,IEICE-SDM2013-37 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.39(ED), no.40(CPM), no.41(SDM) 
ページ範囲 pp.77-81 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ED-2013-05-09,IEICE-CPM-2013-05-09,IEICE-SDM-2013-05-09 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会