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講演抄録/キーワード
講演名 2013-05-16 13:30
様々な加工処理を施した4H-SiC表面のキャリアライフタイム評価
森 祐人加藤正史市村正也名工大ED2013-16 CPM2013-1 SDM2013-23 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-16 CPM2013-1 SDM2013-23
抄録 (和) SiCを用いた超高耐圧のバイポーラデバイスにおいて,キャリアライフタイムはデバイス性能を左右する重要なパラメータであり、表面再結合速度を見積もることはキャリアライフタイムを制御するために重要である.そこで本研究では,様々な加工処理を施した4H-SiCに対してキャリアライフタイム測定を行い,表面再結合速度を議論した.その結果,反応性イオンエッチング(RIE)を施すことによりキャリアライフタイムが小さくなり,RIEにより導入された点欠陥が表面再結合に影響を与える可能性があることが分かった. 
(英) For very high voltage SiC bipolar devices, the carrier lifetime is an important parameter which influences the device performance. Observation of the surface recombination velocity is important in order to control the carrier lifetime. In this study, we show experimental data for the carrier lifetime in 4H-SiC whose surfaces were treated by various processes. As a result, we found that the reactive ion etching (RIE) decrease the carrier lifetime. We considered that point defects introduced by RIE influence the carrier lifetime.
キーワード (和) 4H-SiC / キャリアライフタイム / 表面再結合 / μ-PCD / / / /  
(英) 4H-SiC / キャリアライフタイム / 表面再結合 / μ-PCD / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 39, ED2013-16, pp. 1-6, 2013年5月.
資料番号 ED2013-16 
発行日 2013-05-09 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード ED2013-16 CPM2013-1 SDM2013-23 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-16 CPM2013-1 SDM2013-23

研究会情報
研究会 SDM ED CPM  
開催期間 2013-05-16 - 2013-05-17 
開催地(和) 静大(浜松)創造科学技術大学院 
開催地(英) Shizuoka Univ. (Hamamatsu) Graduate School of Sci. and Technol. 
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料) 
テーマ(英) Crystal Growth, Characterization, Device, etc (compound semiconductors, Si, SiGe, optical and electronic materials) 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2013-05-SDM-ED-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 様々な加工処理を施した4H-SiC表面のキャリアライフタイム評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Evaluation of carrier lifetime for 4H-SiC surfaces treated by various processes 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 4H-SiC / 4H-SiC  
キーワード(2)(和/英) キャリアライフタイム / キャリアライフタイム  
キーワード(3)(和/英) 表面再結合 / 表面再結合  
キーワード(4)(和/英) μ-PCD / μ-PCD  
キーワード(5)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 森 祐人 / Yuto Mori / モリ ユウト
第1著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 正史 / Masashi Kato / カトウ マサシ
第2著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 市村 正也 / Masaya Ichimura / イチムラ マサヤ
第3著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.)
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講演者
発表日時 2013-05-16 13:30:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2013-16,IEICE-CPM2013-1,IEICE-SDM2013-23 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.39(ED), no.40(CPM), no.41(SDM) 
ページ範囲 pp.1-6 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ED-2013-05-09,IEICE-CPM-2013-05-09,IEICE-SDM-2013-05-09 


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