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講演抄録/キーワード
講演名 2013-05-16 15:45
表面窒化によるGaAsN混晶の形成
浦上法之若原昭浩関口寛人岡田 浩豊橋技科大ED2013-20 CPM2013-5 SDM2013-27 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-20 CPM2013-5 SDM2013-27
抄録 (和) GaAsN混晶を表面窒化により量子井戸として形成し、成長様式および発光特性を評価した。窒化時のAs2分子線圧力を減少することにより、N組成の増加が示唆され、Nの取り込みがAsおよびN原子のサイト競合に依存していること明らかになった。窒化時間を変化させた場合、窒化後の待ち時間を経過した後の反射高速電子線回折像において、As安定化(2×4)およびN安定化(3×3)構造が観測された。(2×4)構造が観測された場合のみ鋭いPLスペクトルが得られ、N安定化(3×3)構造が観測された場合ではNクラスタが結晶内に形成され、非発光再結合中心が増加したため、強いPL強度は得られなかったと推測される。GaP基板上GaAsN量子井戸ではN添加量の増加につれ、Type-IIからType-I量子構造になったことにより、発光強度が増加した。 
(英) GaAsN alloys was grown by surface nitridation and applied for the growth of quantum well (QW). Increase of incorporation of N atoms into GaAsN with decrease of As2 pressure suggests that N atoms incorporations governed by competing the group-V sites with As atoms. Photoluminescence (PL) peak energy was not dependent on the nitridation time of from 5~15 sec and the energy was approximately 1.37 eV. On the other hands, PL peak energy was 1.31 eV for the nitridation time of 20 sec. The PL intensity was decreased by two orders than those of the nitridetion time of 5~15 sec. The reflection high energy electron diffraction (RHEED) pattern showed As-stabilized (2×4) and N-stabilized (3×3) reconstructions for the samples nitrided by 15sec and 20sec, respectively. Stable Ga-N bonds remain after the interruption time for the surface condition of 15 sec nitridation. Formation of N-clustering consisted a number of N-N pairs lead to the decrease of PL intensity due to the increase of nonradiative center for the surface condition of 20 sec nitridation., In the GaAsN/GaP QW, PL peak energy shifted to low-energy side and the intensity increased with increasing the amount of N supply.
キーワード (和) GaAsN / 希薄窒化物 / III-V-N / 表面窒化 / / / /  
(英) GaAsN / Dilute nitride / III-V-N / Surface nitridation / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 39, ED2013-20, pp. 23-26, 2013年5月.
資料番号 ED2013-20 
発行日 2013-05-09 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2013-20 CPM2013-5 SDM2013-27 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-20 CPM2013-5 SDM2013-27

研究会情報
研究会 SDM ED CPM  
開催期間 2013-05-16 - 2013-05-17 
開催地(和) 静大(浜松)創造科学技術大学院 
開催地(英) Shizuoka Univ. (Hamamatsu) Graduate School of Sci. and Technol. 
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料) 
テーマ(英) Crystal Growth, Characterization, Device, etc (compound semiconductors, Si, SiGe, optical and electronic materials) 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2013-05-SDM-ED-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 表面窒化によるGaAsN混晶の形成 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Formation of GaAsN alloys by surface nitridation 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaAsN / GaAsN  
キーワード(2)(和/英) 希薄窒化物 / Dilute nitride  
キーワード(3)(和/英) III-V-N / III-V-N  
キーワード(4)(和/英) 表面窒化 / Surface nitridation  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 浦上 法之 / Noriyuki Urakami / ウラカミ ノリユキ
第1著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara / ワカハラ アキヒロ
第2著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 関口 寛人 / Hiroto Sekiguchi / セキグチ ヒロト
第3著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡田 浩 / Hiroshi Okada / オカダ ヒロシ
第4著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
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講演者
発表日時 2013-05-16 15:45:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2013-20,IEICE-CPM2013-5,IEICE-SDM2013-27 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.39(ED), no.40(CPM), no.41(SDM) 
ページ範囲 pp.23-26 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2013-05-09,IEICE-CPM-2013-05-09,IEICE-SDM-2013-05-09 


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