講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-05-16 13:55
4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み ○中根浩貴・加藤正史・市村正也(名工大)・大島 武(原子力機構) ED2013-17 CPM2013-2 SDM2013-24 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-17 CPM2013-2 SDM2013-24 |
抄録 |
(和) |
SiCデバイスの性能向上には、キャリアライフタイムの制御方法の確立が必要である。そのためには深い準位の物理的起源の理解が重要である。本研究では電子線照射を施して意図的に欠陥を導入した4H-SiCに対し、様々な温度で熱処理を加え、深い準位の評価を行った。その結果を、過去に報告のある点欠陥の熱処理温度に対する濃度推移と比較し、深い準位の欠陥構造の同定を試みた。 |
(英) |
(Not available yet) |
キーワード |
(和) |
SiC / キャリアライフタイム / 深い準位 / DLTS法 / PICTS法 / / / |
(英) |
/ / / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 39, ED2013-17, pp. 7-12, 2013年5月. |
資料番号 |
ED2013-17 |
発行日 |
2013-05-09 (ED, CPM, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2013-17 CPM2013-2 SDM2013-24 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-17 CPM2013-2 SDM2013-24 |
研究会情報 |
研究会 |
SDM ED CPM |
開催期間 |
2013-05-16 - 2013-05-17 |
開催地(和) |
静大(浜松)創造科学技術大学院 |
開催地(英) |
Shizuoka Univ. (Hamamatsu) Graduate School of Sci. and Technol. |
テーマ(和) |
結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料) |
テーマ(英) |
Crystal Growth, Characterization, Device, etc (compound semiconductors, Si, SiGe, optical and electronic materials) |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ED |
会議コード |
2013-05-SDM-ED-CPM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み |
サブタイトル(和) |
|
タイトル(英) |
Identification of defect structures forming the deep levels in 4H-SiC |
サブタイトル(英) |
|
キーワード(1)(和/英) |
SiC / |
キーワード(2)(和/英) |
キャリアライフタイム / |
キーワード(3)(和/英) |
深い準位 / |
キーワード(4)(和/英) |
DLTS法 / |
キーワード(5)(和/英) |
PICTS法 / |
キーワード(6)(和/英) |
/ |
キーワード(7)(和/英) |
/ |
キーワード(8)(和/英) |
/ |
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
中根 浩貴 / Hiroki Nakane / ナカネ ヒロキ |
第1著者 所属(和/英) |
名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
加藤 正史 / Masashi Kato / カトウ マサシ |
第2著者 所属(和/英) |
名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
市村 正也 / Masaya Ichimura / イチムラ マサヤ |
第3著者 所属(和/英) |
名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
大島 武 / Takeshi Ohshima / オオシマ タケシ |
第4著者 所属(和/英) |
日本原子力研究開発機構 (略称: 原子力機構)
Japan Atomic Energy Agency (略称: JAEA) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第5著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第6著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第7著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第8著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第9著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第10著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第11著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第12著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第13著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第14著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第15著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第16著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第17著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第18著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第19著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第20著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2013-05-16 13:55:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ED |
資料番号 |
ED2013-17, CPM2013-2, SDM2013-24 |
巻番号(vol) |
vol.113 |
号番号(no) |
no.39(ED), no.40(CPM), no.41(SDM) |
ページ範囲 |
pp.7-12 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2013-05-09 (ED, CPM, SDM) |