お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2020年10月開催~)
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2013-05-16 15:10
塗布型酸化物半導体バッファ層を用いた有機EL素子
高山 健・○中 茂樹岡田裕之富山大OME2013-27 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2013-27
抄録 (和) 陽極バッファ層として溶液プロセスにより酸化物半導体を成膜した有機EL素子について検討した.MoO3を塗布した素子において,MoO3を塗布しない素子と比較して特性が向上し,電流密度100 mA/cm2時に5,000 cd/m2の発光輝度が得られ,バッファ層としてPEDOTおよび真空蒸着したMoO3の素子と同等の特性が得られた.また,MoO3の挿入により,ITO/有機層界面のエネルギー障壁が低下した.これにより,スピンコート成膜したMoO3が有機EL素子のバッファ層として有効であることがわかった. 
(英) We report on the application of oxide semiconductor film deposited by spin-coating from aqueous solution to the organic light-emitting diodes. The device characteristics with solution-processed MoO3 were drastically improved in comparison with the device without MoO3 buffer layer. Luminance and EL efficiency were identical to the devices with poly(3,4-ethylenedioxythiophene): poly(styrenesulfonate) or vacuum-deposited MoO3 buffer layer. Also, the barrier height at interface of indium-tin-oxide/organic layer is lowered with insertion of spin-coated MoO3. Solution-processed MoO3 from dilute aqueous solution is promising for the buffer layer in the OLEDs.
キーワード (和) 有機EL素子 / 溶液プロセス / 陽極バッファ層 / 酸化物半導体 / / / /  
(英) organic light-emitting diodes / solution-process / buffer layer for anode / oxide semiconductor / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 42, OME2013-27, pp. 23-27, 2013年5月.
資料番号 OME2013-27 
発行日 2013-05-09 (OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OME2013-27 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2013-27

研究会情報
研究会 OME  
開催期間 2013-05-16 - 2013-05-16 
開催地(和) 機械振興会館 B3F-2 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 有機材料作製・評価技術、一般 
テーマ(英) Fabrication, Characterization and General Aspects Related to Organic Materials 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OME 
会議コード 2013-05-OME 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 塗布型酸化物半導体バッファ層を用いた有機EL素子 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Organic Light-Emitting Diodes with Solution-processed Oxide Semiconductor 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 有機EL素子 / organic light-emitting diodes  
キーワード(2)(和/英) 溶液プロセス / solution-process  
キーワード(3)(和/英) 陽極バッファ層 / buffer layer for anode  
キーワード(4)(和/英) 酸化物半導体 / oxide semiconductor  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 高山 健 / Masaru Takayama / タカヤマ マサル
第1著者 所属(和/英) 富山大学 (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: Univ. of Toyama)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 中 茂樹 / Shigeki Naka / ナカ シゲキ
第2著者 所属(和/英) 富山大学 (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: Univ. of Toyama)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡田 裕之 / Hiroyuki Okada / オカダ ヒロユキ
第3著者 所属(和/英) 富山大学 (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: Univ. of Toyama)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第4著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2013-05-16 15:10:00 
発表時間 20 
申込先研究会 OME 
資料番号 IEICE-OME2013-27 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.42 
ページ範囲 pp.23-27 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-OME-2013-05-09 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会