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| 講演名 | 2013-04-12 12:00 ［依頼講演］MLC相変化メモリとNANDフラッシュメモリを用いた三次元ハイブリッドSSDのための正負温度係数を有する読み出し参照源 ○宮地幸祐・上口 光（中大）・樋口和英（東大）・竹内 健（中大）  ICD2013-17 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2013-17 |
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| 抄録 | （和） | MLCの相変化メモリ（PCM）とNANDフラッシュメモリを用いた三次元実装ハイブリッドSSD向けの読み出し参照源回路を提案する．提案参照源回路はPCMとNANDフラッシュそれぞれの温度特性の再現のため，正・負両温度係数を出力可能である．0.18um 標準CMOSプロセスを用いて提案回路の実装を行い，-5.47mV/Kから5.74mV/Kまで温度係数の変調を確認した．また，温度係数とは独立に出力レベルが変調できるため，メモリ素子特性のばらつきにも対応可能である． |
| （英） | An integrated variable temperature coefficient (TC) reference generator for multi-level cell phase change memory (PCM)/NAND flash memory hybrid three dimensional solid-state drive is proposed and demonstrated by 0.18um CMOS process. The proposed generator outputs both positive and negative TC reference current and voltage for PCM and NAND, respectively. TC is programmable and it can be widely changed down to -5.47mV/K and up to 5.74mV/K. Output level is also variable and it is independently controlled from the TC control. The flexible TC and output level control also enable a compensation of characteristics changes due to the program/erase cycling as wells as the process variations of the memory devices. The size of the reference generator is 0.195mm2. The power consumption is 0.68mW at 120degC, 2.3V output. | |
| キーワード | （和） | 相変化メモリ / NANDフラッシュメモリ / ソリッドステートドライブ / 参照源回路 / / / / |
| （英） | phase change memory / NAND flash memory / solid-state drive / reference circuit / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 1, ICD2013-17, pp. 85-90, 2013年4月. | |
| 資料番号 | ICD2013-17 | |
| 発行日 | 2013-04-04 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2013-17 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2013-17 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2013-04-11 - 2013-04-12 |
| 開催地（和） | 産業技術総合研究所 つくばセンター |
| 開催地（英） | Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| テーマ（和） | メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術 |
| テーマ（英） | Memory Device Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2013-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MLC相変化メモリとNANDフラッシュメモリを用いた三次元ハイブリッドSSDのための正負温度係数を有する読み出し参照源 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An Integrated Variable Positive/Negative Temperature Coefficient Read Reference Generator for MLC PCM/NAND Hybrid 3D SSD |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 相変化メモリ / phase change memory |
| キーワード(2)（和/英） | NANDフラッシュメモリ / NAND flash memory |
| キーワード(3)（和/英） | ソリッドステートドライブ / solid-state drive |
| キーワード(4)（和/英） | 参照源回路 / reference circuit |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮地 幸祐 / Kousuke Miyaji / ミヤジ コウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上口 光 / Koh Johguchi / ジョウグチ コウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 樋口 和英 / Kazuhide Higuchi / ヒグチ カズヒデ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第4著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-04-12 12:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2013-17 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.1 |
| ページ範囲 | pp.85-90 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-04-04 (ICD) |
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