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講演抄録/キーワード
講演名 2013-04-12 15:30
[依頼講演]デジタル電流比較器制御によるSRAM待機電力の削減
前田徳章小松成亘森本薫夫田中浩二塚本康正新居浩二島崎靖久ルネサス エレクトロニクスエレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2013-21
抄録 (和) モバイルアプリケーション用途の高性能・低待機電力SRAMを提案する。デジタル電流比較器を利用し、温度によって最適なスタンバイモードを選択することで待機時のリーク電流を半減できる。28nm CMOSで試作した32KbのSRAMにおいて、アクセスタイム420psと0.41Aのリーク電流を達成した. 
(英) A high-performance and low-leakage current embedded SRAM for mobile phones is proposed. The proposed SRAM has two low-voltage resume-standby modes to reduce the standby leakage. An all digital current comparator is also proposed to choose a suitable standby mode. A test chip was fabricated using 28 nm HKMG CMOS technology. The proposed 32 Kb SRAM achieves 0.41 μA standby leakage which is half of the conventional value, with 420 ps access.
Keyword 28nm, SRAM, Power Gating,Low-leakage current, Retention, Current Comparator.
キーワード (和) 28nm / SRAM / パワーゲーティング / 低リーク / リテンション / 電流比較器 / /  
(英) 28nm / SRAM / Power Gating / Low-leakage current / Retention / Current Comparator / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 1, ICD2013-21, pp. 109-114, 2013年4月.
資料番号 ICD2013-21 
発行日 2013-04-04 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2013-04-11 - 2013-04-12 
開催地(和) 産業技術総合研究所 つくばセンター 
開催地(英) Advanced Industrial Science and Technology (AIST) 
テーマ(和) メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 
テーマ(英) Memory Device Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2013-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) デジタル電流比較器制御によるSRAM待機電力の削減 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Reduction of SRAM Standby Leakage utlizing All Digital Current Comparator 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 28nm / 28nm  
キーワード(2)(和/英) SRAM / SRAM  
キーワード(3)(和/英) パワーゲーティング / Power Gating  
キーワード(4)(和/英) 低リーク / Low-leakage current  
キーワード(5)(和/英) リテンション / Retention  
キーワード(6)(和/英) 電流比較器 / Current Comparator  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 前田 徳章 / Noriaki Maeda / マエダ ノリアキ
第1著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 小松 成亘 / Shigenobu Komatsu / コマツ シゲノブ
第2著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 森本 薫夫 / Masao Morimoto / モリモト マサオ
第3著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 浩二 / Koji Tanaka / タナカ コウジ
第4著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 塚本 康正 / Yasumasa Tsukamoto / ツカモト ヤスマサ
第5著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 新居 浩二 / Koji Nii / ニイ コウジ
第6著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 島崎 靖久 / Yasuhisa Shimazaki / シマザキ ヤスヒサ
第7著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
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講演者
発表日時 2013-04-12 15:30:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2013-21 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.1 
ページ範囲 pp.109-114 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ICD-2013-04-04 


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